تحقیق در مورد منبع تغذیه سوییچینگ

اختصاصی از ژیکو تحقیق در مورد منبع تغذیه سوییچینگ دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه: 17
فهرست مطالب:

منبع تغذیه سوییچینگ

شرح کلی مدار

حالت کم¬مصرف Stand By

تشریح کارکرد منبع تغذیه

پایداری ولتاژ خروجی

Power Good

اصول کار منابع تغذیه سوئیچینگ به زبان ساده::

مدار اضافه ولتاژ

شرح کلی مدار

امروز می خواهم به ذکر یک نمونه عملی از منابع تغذیه سوئیچینگ بپردازم تا با بررسی مدار آن، عملکرد این سیستم برای شما بیشتر روشن شود. حال با توجه به مدار به شرح اجزاء مختلف آن خواهم پرداخت.
مداری را که به عنوان یک مثال عملی مشاهده می نمایید، مدار یک منبع تغذیه سوئیچینگ 200 وات ATX متعلق به کامپیوتر شخصی است که توسط شرکت TDK طراحی و ساخته شده است.

برای دیدن نقشه فوق در اندازه بزرگتر (اصلی) اینجا را کلیک کنید.

در این منبع تغذیه سوئیچینگ از یک آی سی با شماره TL494 استفاده شده و همچنین از یک مبدل که ترانزیستور های آن با آرایش پوش- پول عمل رگولاسیون خروجی را انجام می دهند استفاده شده است. ولتاژ خط برق شهر پس از عبور از مدار فیلتر ورودی متشکل از (C1, R1, T1, C4, T5) به بلوک یکسوساز هدایت می شود. مدار یکسوکننده از نوع پل دیودی تمام موج می باشد که نسبت به سایر یکسو کننده های دیگر از هر لحاظ مقرون به صرفه تر است. هنگامی که کلید تبدیل از حالت 230 ولت بر روی 115 ولت قرار گیرد، در نتیجه مدار سیستم دو برابر کننده وارد عمل می شود. مقاومت های واریستور (مقاومت متغیر با ولتاژ) Z1 و Z2 دارای عملکرد محافظت از اضافه ولتاژ در ورودی می باشند. مقاومت ترمیستور (مقاومت متغیر با دما) NTCR1 جهت محافظت در برابر جریان هجومی در هنگام شارژ C5 و C6 مورد استفاده قرار گرفته است.
مقاومت های R2 و R3 فقط برای تخلیه نمودن بار الکتریکی داخل خازن ها و جلوگیری از خطر برق گرفتگی در هنگام قطع بودن (خاموش بودن) منبع تغذیه به کار می روند. در هنگام اتصال منبع تغذیه به برق شهر، C5 و C6 با هم در ابتدا تا حد بالا تر از 300 ولت شارژ می شوند.

قسمت ثانویه منبع تغذیه به صورت کنترل شده توسط Q12 راه اندازی شده و سپس ولتاژ در خروجی قسمت ثانویه ظاهر می شود. در پی آن IC3 که یک رگولاتور ولتاژ 5 ولت می باشد، ولتاژ 5 ولتی مورد نیاز مادر برد را برای راه اندازی گیت های منطقی و سایر موارد دیگر تأمین می نماید.
سپس ولتاژ تثبیت نشده از طریق D30 به چیپ کنترلی اصلی یعنی IC1 و همچنین ترانزیستورهای Q3 و Q4 هدایت می شود. وقتی منبع تغذیه اصلی در حال کار بود، ولتاژ 12 ولت خروجی از طریق دیود D به سمت IC1 هدایت می شود. 

حالت کم¬مصرف Stand By

در حالت کم¬مصرف Stand By توسط ولتاژ مثبت در پایه PS-ON که از طریق مقاومت R23 از مدار ثانویه منبع تغذیه تأمین شده مانع از کار کردن قسمت اصلی منبع تغذیه میشویم. چون ترانزیستور Q10 باز شده و در نتیجه ترانزیستور Q1 نیز در حالت باز قرار گرفته و در پی آن ولتاژ مبنای 5 ولت پایه شماره 14 IO1 برای پایه شماره 4 IO1 تأمین میشود. و مدار در نهایت به حالت مسدود شده کلیدزنی خواهد شد. ترانزیستورهای Q3 و Q4 هدایت خواهند کرد و سیم پیچ ترانسفورماتور کمکی T2 را اتصال کوتاه خواهند نمود. توسط پایه شماره 4 IO1 ما قادریم که پهنای پالس خروجی را تعیین نماییم. صفر بیانگر بیشترین پهنای پالس و 5 ولت بیانگر این است که پهنای پالسی وجود ندارد.

تشریح کارکرد منبع تغذیه

وقتی کسی کلید روشن شدن کامپیوتر را فشار دهد، در نتیجه مادربرد صفر منطقی یا زمین منطقی را برای پایه PS-ON فراهم می نماید. ترانزیستور Q10 بسته شده و در نتیجه Q1 نیز بسته می شود و خازن C15 از مسیر مقاومت R15 شروع به شارژ شدن نموده و در پایه شماره 4 IC1 شاهد شروع کاهش ولتاژ دو سر مقاومت R17 به سمت صفر می باشیم. به علت این ولتاژ بیشترین مقدار پهنای پالس بطور پیوسته افزوده شده و باعث راه اندازی نرم و بدون اشکال قسمت اصلی منبع تغذیه خواهیم بود. در حالت عملکرد طبیعی منبع تغذیه دائماً توسط IC1 کنترل می شود. زمانی که ترانزیستور های Q2 و Q1 بسته اند، ترانزیستورهای Q3 و Q4 باز می باشند. وقتی که می خواهیم یکی از ترانزیستور¬های قدرت Q1 و Q2 را باز کنیم، مجبور هستیم که تحریک ترانزیستور های Q3 و Q4 را برداریم. جریان از مسیر مقاومت R46 و دیود D14 و همچنین سیم پیچ T2 جاری می شود. این جریان باعث می شود که ولتاژ تحریک بیس ترانزیستور قدرت فراهم شده و به دلیل وجود فیدبک مثبت ترانزیستور خیلی سریع در حالت اشباع قرار گیرد. با سپری شدن این ضربه ناگهانی، هر دو ترانزیستور باز می شوند. فیدبک مثبت از بین رفته و Overshoot در سیم پیچ تحریکی را ایجا می کند که باعث بسته شدن سریع ترانزیستور قدرت می شود. مجدداً این فرایند در ترانزیستور دوم تکرار می شود. ترانزیستور های Q1 و Q2 متناوباً ولتاژ مثبت و منفی را به یکی از دو سر سیم پیچ اولیه متصل می نمایند. جریان الکتریکی از مسیر شاخه امیتر Q1 (کلکتور Q2) را در سیم پیچ ثالثیه جاری شده و ترانسفورماتور T2 را تحریک می نماید. و سپس از سیم پیچ اولیه ترانسفورماتور T3 و خازن C7 و مرکز مجازی ولتاژ تغذیه ورودی مسیر خود را تکمیل می نماید.

تحقیق در موردطراحی و ساخت جبران کننده ایستای توان راکتیو منبع

اختصاصی از ژیکو تحقیق در موردطراحی و ساخت جبران کننده ایستای توان راکتیو منبع دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه17

فهرست مطالب

چکیده

1-    مقدمه

2-4- بخش اتصال بار

2-5- بخش راکتانس

2-1-  حفاظت  ورودی

2-2- فیلتر ورودی

2-6- کلیدهای اصلی

هدف، طراحی و ساخت یک جبران کننده ایستای توان راکتیو از نوع منبع ولتاژی و بصورت چند سطحی بوده‌است،  یک اینورتر سه سطحی از نوع اینورترهای متوالی با توان نامی +3KVAR  طراحی و ساخته شده‌است، و یک روش کنترلی بر اساس کنترل اختلاف فاز با استفاده از مدولاسیون برنامه‌ریزی و بهینه شده اجرا شده‌است.

تحقیق درباره منبع تغذیه سوییچینگ

اختصاصی از ژیکو تحقیق درباره منبع تغذیه سوییچینگ دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

 

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 

تعداد صفحه:17

فهرست و توضیحات:

مقدمه

بیان مسأله

منبع تغذیه سوییچینگ

حالت کم¬مصرف Stand By

تشریح کارکرد منبع تغذیه

پایداری ولتاژ خروجی

وقتی کسی کلید روشن شدن کامپیوتر را فشار دهد، در نتیجه مادربرد صفر منطقی یا زمین منطقی را برای پایه PS-ON فراهم می نماید. ترانزیستور Q10 بسته شده و در نتیجه Q1 نیز بسته می شود و خازن C15 از مسیر مقاومت R15 شروع به شارژ شدن نموده و در پایه شماره 4 IC1 شاهد شروع کاهش ولتاژ دو سر مقاومت R17 به سمت صفر می باشیم. به علت این ولتاژ بیشترین مقدار پهنای پالس بطور پیوسته افزوده شده و باعث راه اندازی نرم و بدون اشکال قسمت اصلی منبع تغذیه خواهیم بود. در حالت عملکرد طبیعی منبع تغذیه دائماً توسط IC1 کنترل می شود. زمانی که ترانزیستور های Q2 و Q1 بسته اند، ترانزیستورهای Q3 و Q4 باز می باشند. وقتی که می خواهیم یکی از ترانزیستور¬های قدرت Q1 و Q2 را باز کنیم، مجبور هستیم که تحریک ترانزیستور های Q3 و Q4 را برداریم. جریان از مسیر مقاومت R46 و دیود D14 و همچنین سیم پیچ T2 جاری می شود. این جریان باعث می شود که ولتاژ تحریک بیس ترانزیستور قدرت فراهم شده و به دلیل وجود فیدبک مثبت ترانزیستور خیلی سریع در حالت اشباع قرار گیرد. با سپری شدن این ضربه ناگهانی، هر دو ترانزیستور باز می شوند. فیدبک مثبت از بین رفته و Overshoot در سیم پیچ تحریکی را ایجا می کند که باعث بسته شدن سریع ترانزیستور قدرت می شود. مجدداً این فرایند در ترانزیستور دوم تکرار می شود. ترانزیستور های Q1 و Q2 متناوباً ولتاژ مثبت و منفی را به یکی از دو سر سیم پیچ اولیه متصل می نمایند. جریان الکتریکی از مسیر شاخه امیتر Q1 (کلکتور Q2) را در سیم پیچ ثالثیه جاری شده و ترانسفورماتور T2 را تحریک می نماید. و سپس از سیم پیچ اولیه ترانسفورماتور T3 و خازن C7 و مرکز مجازی ولتاژ تغذیه ورودی مسیر خود را تکمیل می نماید.

دانلود جدیدترین منبع لیسنینگ 95 آزمون زبان MSRT - منبع جدید بخش شنیداری آزمون MSRT اردیبهشت 95

اختصاصی از ژیکو دانلود جدیدترین منبع لیسنینگ 95 آزمون زبان MSRT - منبع جدید بخش شنیداری آزمون MSRT اردیبهشت 95 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

 

 

 

 

 

 

 

***با توجه به روند جدید آزمون MSRT که دفترچه سوالات دو مرحله توزیع می شود بخش شنیداری جدا و در اول آزمون و دفترچه بخش دوم و سوم بعد از اتمام شنیداری، بنابراین بحث زمان بسیار هائز اهمیت می باشد و اینکه بدانیم منابع اصلی آزمون کدامند***

بخش شنیداری آزمون MSRT از 30 سؤال تشکیل شده است. 10 سؤال مکالمه کوتاه (short conversations) و 20 سؤال مکالمه بلند (Longer conversations). مشکلی همیشگی که برای شرکت کنندگان آزمون MSRT وجود دارد مشخص نبودن و در دسترس نبودن منبع بخش مکالمات بلند میباشد لذا داوطلبان مجبور به انتخاب شانسی پاسخ  برای این 20 سؤال مکالمه بلند میشوند و عملاً شانس خود را برای قبولی در این آزمون کاهش می دهند.  ما با زحمات فراوان سرانجام موفق به تهیه منبع سؤالات مکالمات بلند آزمون MSRT شدیم تا شما شرکت کنندگان با خیالی آسوده گام به این آزمون سرنوشت ساز بگذارید. شما با مطالعه این منبع به موفقیت 100 تا 90 درصدی در بخش شنیداری دست خواهید یافت.

(ما فقط و فقط منابع دوره های گذشته، 2 سال گذشته  آزمون MSRT را  معرفی کرده و در دسترس شما قرار میدهیم که امکان دارد از آنها در آزمون های بعدی سوال طرح شود و هیچ گاه ادعا نمیکنیم که 100 درصد سوالات آزمونهای بعدی را در اختیار شما قرار میدهیم. بنابراین قبولی در آزمون  به تلاش شما بستگی دارد. باید توجه داشت که معمولاً منابع آزمون MSRT بعد از چند دوره متوالی قابل تغییر بوده لذا شما برای دسترسی به تمامی منابع 2 سال گذشته این آزمون  میتوانید از منابع  موجود در این سایت استفاده کنید).

منبع اردیبهشت 95:

منبع حاضر جدیدترین منبع بخش های شنیداری کوتاه و بلند آزمون MSRT میباشد.

منبع لیسنینگ بلند LONG:
این منبع شامل 36 نمونه مکالمه بلند همراه با سوالات و پاسخ آنها میباشد و فاقد متن مکالمات بلند (Listening Script) و فایل صوتی  (Listening audio) میباشد. لذا شما با مطالعه و بخاطر سپردن آنها قادر خواهید بود در بخش مکالمات شنیداری بلند موفق عمل کنید.

12 سؤال از مکالمات بلند آزمون 3 اردیبهشت  95 از این منبع طرح شده است. لذا انتظار می رود در آزمون های آینده از این منبع سؤال مطرح شود.

منبع لیسنینگ کوتاه Short:

این منبع شامل 200  مکالمه ، سوالات و پاسخ آنها میباشد و فاقد متن مکالمات  (Listening Script) و فایل صوتی  (Listening audio) میباشد. لذا شما با مطالعه و بخاطر سپردن آنها قادر خواهید بود در بخش مکالمات شنیداری بلند موفق عمل کنید.

5 سؤال از مکالمات کوتاه آزمون 3 اردیبهشت  95 از این منبع طرح شده است. لذا انتظار می رود در آزمون های آینده از این منبع سؤال مطرح شود.

همچنین شما  جدیدترین منابع را میتوانید از لینکهای زیر دانلود کنید:

***منابع ریدینگ***

***منابع گرامر***

***منابع لیسنینگ**

***

***

***

***

***

ما تنها کسانی می باشیم که منابع واقعی سوالات بخش ریدینگ و شنیداری آزمون زبان MSRT را در اختیار داریم و می توانیم آن ها را به شما ارائه دهیم تا شما هیچ گونه مشکلی در این آزمون نداشته باشید.  

تحقیق درباره طراحی و ساخت جبران کننده ایستای توان راکتیو منبع ولتاژی برای جبران بار

اختصاصی از ژیکو تحقیق درباره طراحی و ساخت جبران کننده ایستای توان راکتیو منبع ولتاژی برای جبران بار دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

 

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 

تعداد صفحه:17

فهرست و توضیحات:

مقدمه

بیان مسأله

اهمیت موضوع

اهداف پژوهش

اهداف کاربردی

هدف، طراحی و ساخت یک جبران کننده ایستای توان راکتیو از نوع منبع ولتاژی و بصورت چند سطحی بوده‌است،  یک اینورتر سه سطحی از نوع اینورترهای متوالی با توان نامی +3KVAR  طراحی و ساخته شده‌است، و یک روش کنترلی بر اساس کنترل اختلاف فاز با استفاده از مدولاسیون برنامه‌ریزی و بهینه شده اجرا شده‌است.

     مدارات پروژه شامل برد راه‌انداز کلیدهای الکترونیک قدرت، بردهای اندازه‌گیری ولتاژ و جریانهای فیدبک، برد پردازشگر اصلی، برد حفاظت از خازنها  بوده‌است.

1-    مقدمه

     از پیشرفته‌ترین کنترل کننده‌های توان راکتیو که در دو دهة اخیر به مدد پیشرفت ساخت ادوات نیمه‌هادیهای قدرت با توان بالا ارائه شده‌اند جبران کننده‌های ایستای توان راکتیو ( SVC ) می‌باشند. این جبران کننده‌ها در مقایسه با جبران کننده‌های دیگر مزایایی مانند قابلیت انعطاف بیشتر و سرعت پاسخ بالاتر دارند، یکی از آخرین انواع SVC نوع اینورتری آن معروف به STATCOM می‌باشد که نسبت به انواع قبلی مزایایی مانند استفاده از حداقل عناصر ذخیره کننده انرژی، فضای کمتر مورد نیاز و سرعت پاسخ بالاتر دارد، در این جبران کننده‌ها از مبدلهای DC/AC استفاده می‌شود که در حالت کلی می‌توانند چند سطحی باشند. اینورترهای چند سطحی نسبت به اینورترهای متداول قابلیت کار در توانها و ولتاژهای بالاتری دارند و همچنین در فرکانس کلیدزنی مشابه میزات آلودگی کمتری به لحاظ هارمونیکی ایجاد می‌کنند.

      از آنجا که برای نمونه آزمایشگاهی طراحی، ساخت و تست یک سیستم تک فاز راحتتر است، جبران کننده مورد نظر بصورت تکفاز در نظر گرفته شد ولی در طراحی همواره سعی شد تا ملاحظاتی در نظر گرفته شود که سیستم قابل گسترش به سه‌فاز هم باشد و یا اینکه بتوان برای هر فاز یک جبران کننده مستقل در نظر گرفت.طراحی براساس دو اینورتر متوالی انجام شده که یک اینورتر پنج سطحی تکفاز را تشکیل می‌دهد.

     در طراحی سعی شده که همه متغیرهای لازم بصورت نرم‌افزاری وجود داشته باشند تا انواع روشهای مدولاسیون و کنترل قابل پیاده سازی باشند و در انتها دو روش مدولاسیون و کنترل اجرا  شده‌است.