ژیکو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

ژیکو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

دانلود تحقیق کامل درباره نیمه رساناها 2

اختصاصی از ژیکو دانلود تحقیق کامل درباره نیمه رساناها 2 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 38

 

1 بیان ساده شده نظریه نیمرسانا

نیمرسانا ماده ای است که مقاومت ویژه آن خیلی کمتر از مقاومت ویژه عایق و در عین حال خیلی بیشتر از مقاومت ویژه رساناست، و مقاومت ویژه اش با افزایش دما کاستی می پذیرد. مثلا، مقاومت ویژه مس 8-10اهم - متر کوا رتز1012 اهم - متر، و مقاومت ویژه مواد نیمرسانای، یعنی سیلیسیم 5/ . اهم- متر و از آن ژرمانیم 2300 اهم -متر در دمای c27 است. برای درک عملکرد نیمرسانا ها و ابزار نیمرسانا، قدری آشنایی با مفاهیم اساسی ساختار اتمی ماده ضروری است.

2 دیودهای نیمرسانا

ساختمان

دیود نیمرسانا وسیله ای است که در مقابل عبور جریان، در یک جهت مقاومت زیاد و در جهت دیگر مقاومت کمی برو ز می دهد. دیود را به طور گستردهای و برای اهداف گوناگون در مدارهای الکترونیکی به کار می گیرند و اساساً شامل یک پیوند p-n است که از بلور سیلیسیوم و یا ژرمانیم تشکیل می شود. (شکل ب) نماد دیود نیمرسانا در شکل الف نموده شده است.

جهتی که دیود در مقابل عبور جریان مخالفت کمی بروز می دهد با سر پیکان نشان داده شده است.

دیود نیمر سانا نسبت به دیود گرما یونی از مزایای زیادی برخوردار است، این دیود به منبع گرم کن نیاز ندارد، بسیار کوچک تر و سبک تر است ، و قابلیت اطمینان بسیار بیشتری دارد.

ژرمانیم یا سیلیسیمی که در ساخت دیود نیمرسانا به کار می رود باید ابتدا تا رسیدن به غلظت نا خالصی کمتر از یک جزء در 10 10 جزء پالوده شود. سپس اتمهای ناخالصی مطلوب، بخشنده ها یا پذیرنده ها، به مقادیر مورد لزوم اضافه شده و ماده به شکل یک تک بلور ساخته می شود.

برای ساختن پولک ژرمانیم نوع n مقداری ژرمانیم ذاتی را با کمی ناخالصی در یک بوته ودر خلأ ذوب می کنند، ویک بلور هسته را تا عمق چند میلیمتری در مذاب فرو می برند. دمای ژرمانیم مذاب درست بالای نقطه ذوب بلور هسته قرار دارد، و چند میلیمتری از هسته غوطه ور در مذاب نیز ذوب می شود. این هسته با سرعت ثابتی چرخانده می شود و همزمان به آرامی از مذاب بیرون کشیده می شود، بدین سان یک بلور نوع n تشکیل شده است. با کنترل دقیق این فرایند می توان به غلظت نا خالصی مورد نیاز دست یافت.

قرصی از ایندیم در یک پولک ژرمانیم قرار می دهند و به آن دمای با لاتر از نقطه ذوب ایندیم ولی پایین تراز نقطه ذوب ژرمانیم حرارت داده می شود. ایندیم ذوب می شود و ژرمانیم را حل می کند تا اینکه محلول اشباح شده از ژرمانیم در ایندیم به دست آید. سپس پولک به آرامی سرد می شود و در خلال سرد شدن یک ناحیه ژرمانیم نوع p در پولک تولید شده و آلیاژی از ژرمانیم و ایندیم (عمدتاً ایندیم) در پولک ته نشین می شود. پیوند p-n آلیاژ سیلیسیم را نیز می توان با همین روش و با بکارگیری آلومینیوم به عنوان پذیرنده، تشکیل داد.

ژرمانیم نوع p تا دمای خیلی نزدیک به نقطه ذوب ژرمانیم گرم می شود، و پیرامون آن را عنصر بخشنده آنتیموان که گازی شکل است فرا می گیرد. اتم های آنتیموان در ژرمانیم پخش می شود تا یک ناحیه نوع nرا تولید کند. اگر از یک بلور نوع n استفاده شود، گالیوم گازی شکل به عنوان عنصر پذیرنده برای تهیه ناحیه نوع p در بلور بکار می رود. وقتی قرار است وسیله ای سیلیسیمی ساخته شود، از بور به عنوان عنصر پذیرنده و از فسفر به عنوان عنصر بخشنده استفاده می شود.

دیود پیوندی شامل بلوری است که هم دارای ناحیه نوع p و هم ناحیه نوع n است. دیود های پیوندی یا از ژرمانیم ساخته می شود و یا از سیلیسیم، اولی دارای مزیت مقاومت مستقیم کمتر و دومی از مزیت داشتن ولتاژ شکست بیشتر و جریان اشباع معکوس کمتر برخوردار است. اتصال به پیوند با سیمهایی که به هر یک از این دو ناحیه وصل شده، برقرار می شود. معمولاً برای جلوگیری از نفوذ رطوبت کل وسیله را در محفظه ای بسته قرار می دهند.

دیودهای اتصال- نقطه ای

اصولاً دیود اتصال- نقطه ای از یک قرص ژرمانیم نوع n که نوک یا سبیلهایش، از سیم تنگستنی است و بر رویه آن فشرده می شود، تشکیل یافته است. اتصال به سبیل از طریق دو سیم مسی انجام می شود در خلال ساخت دیود اتصال- نقطه ای، یک تپ جریان از دیود عبور می کند و باعث می شود که در مساحتی از قرص و درست در مجاورت نوک سبیل یک ناحیه نوع p تشکیل شود. در این حالت پیوند n-p که ظرفیت در قرص ایجاد شده است.

انواع دیودها و کاربرد آن ها

پارامترهای مهم دیودهای نیمرسانا عبارتند از :

1- مقاومت های a.c. مستقیم و معکوس.

2- جریان مستقیم حداکثر.

3- ظرفیت پیوند.

4- فعالیت در ناحیه شکست.

انواع اصلی دیود که در مدارهای الکترونیکی جدید بکار می روند، عبارتند از :

1- دیودهای سیگنالی.

2- دیودهای توان.

3- دیودهای زنر.

4- دیودهای با طرفیت متغیر (ورکتور).

1. دیودهای سیگنالی

اصطلاح دیود سیگنالی تمامی دیودهایی را در بر می گیرد که در مدارهایی که مقادیر اسمی زیاد جریان یا ولتاژ نیاز نیست بکار می روند. شرایط معمولی عبارتند از نسبت بزرگ مقاومت معکوس به مقاومت مستقیم و حداقل ظرفیت پیوند. برخی دیودهای موجود در بازار از انواعی هستند که کاربردهای آن دارند، دیودهای دیگری از این نوع یافت می شوند که کاربردهای مداری خاص، مثلاً، آشکار ساز، امواج رادیویی، یا کلیدالکترونیکی در مدارهای منطقی بسیار مناسبند. حداکثر ولتاژ معکوس، یا ولتاژ معکوس قله، که معمولاً از دیود انتظار ارائه آن می رود معمولاً خیلی بالا نیست، حداکثر جریان مستقیم هم بالا نیست. بیشتر انواع دیود سیگنالی دارای ولتاژ معکوس قله ای در گستره v30 تا v 150 و حداکثر جریان مستقیم در حدود بین 40 وmA250 است. ولی اخیراً می توان به مقادیر بالاتری دست یافت.

2. دیودهای توان

دیودهای توان را غالباً برای تبدیل جریان متفاوب به جریان مستقیم، مانند یک سوسازها، بکار می برند. پارامترهای مهم دیود توان عبارتد از ولتاژ معکوس قله، حداکثر جریان مستقیم و نسبت مقاومت. ولتاژ معکوس قله احتمالاً دست در گستره V50 تا V1000 است با حداکثر جریان مستقیم که شاید A30 است. مقاومت مستقیم باید تا حد امکان پایین باشد تا از افت چشمگیری در ولتاژ دو سر دیود وقتی که جریان مستقیم زیادی جریان دارد جلوگیری می کند؛ معمولاً این مقاومت خیلی بیشتر از یک یا دو اهم نیست.

3. دیودهای زنر


دانلود با لینک مستقیم


دانلود تحقیق کامل درباره نیمه رساناها 2

دانلود تحقیق آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

اختصاصی از ژیکو دانلود تحقیق آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 36

 

 

دانشگاه جامع علمی و کاربردی

واحد کوشا

آشنایی با ساختمان و عملکرد

نیمه هادی دیود و ترانزیستور

ارائه شده به:

نام استاد:

دکتر موسوی

توسط :

نادر عباسی شایسته

رشته : کنترل صنعتی

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها

نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.

ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.

ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد .

این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر کشف شد.

این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک و تنارد کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .

اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.

بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.

د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.

بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.

نیمه هادی نوع N وP

از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.

بنابرین هر اتم آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N نام دارد.

در نیمه هادی نوع N ، چون تعداد الکترون ها خیلی بیشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدایت جریان را انجام می‌دهند . به حامل


دانلود با لینک مستقیم


دانلود تحقیق آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

رفاه اجتماعی نیمه ی پنهان جامعه مدنی - 23 صفحه

اختصاصی از ژیکو رفاه اجتماعی نیمه ی پنهان جامعه مدنی - 23 صفحه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

جامعه ی مدنی و نقش و تاثیر آن بر رفاه اجتماعی از مباحث مهم در دنیای جدید است. آراء و اندیشه های  اندیشمندان و صاحب نظران در زمینه جامعه مدنی را مورد تاکید قرار داده و مؤلفه های آن در رسیدن به رفاه اجتماعی بررسی مینماییم.جامعه مدنی پس از قرون وسطی و متاثراز عقل گرایی برجستگی یافته است.این مفهوم در شکل گیری حکومتهای دمکراتیک و مفهوم شهروندی نقش مهمی را ایفا نموده است. با الهام گرفتن از اشکال جدید حکومت ورشد روزافزون گروههای واسط مقوله رفاه اجتماعی وچگونگی تأمین آن اهمیت پیدا کرده است ودرچارچوب این مفاهیم, انسان و موضوع رفاه برجستگی  یافته است.. این مقاله, نقش و چگونگی تأثیر مولفه های  جامعه مدنی  بر رفاه اجتماعی وهمچنین جایگاه رفاه در قالب دولتهای رفاه  رامورد ارزیابی قرار می دهد.

واژگان کلیدی:جامعه مدنی,رفاه,دولت,شهروندی,دمکراسی,مشارکت


دانلود با لینک مستقیم


رفاه اجتماعی نیمه ی پنهان جامعه مدنی - 23 صفحه

پروژه میرایی نیمه فعال اصطکاک در سازه های خرپایی فضایی بزرگ

اختصاصی از ژیکو پروژه میرایی نیمه فعال اصطکاک در سازه های خرپایی فضایی بزرگ دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پروژه میرایی نیمه فعال اصطکاک در سازه های خرپایی فضایی بزرگ


پروژه میرایی نیمه فعال اصطکاک در سازه های خرپایی فضایی بزرگ

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 تعداد صفحه29

 

بخشی از فهرست مطالب

چکیده 1

 

مقدمه.......................................................................................................................................................................................2

 

سازه خرپایی تطبیقی...........................................................................................................................................................4

 

مدل عددی.............................................................................................................................................................................6

 

روش کاهش مرتبه.............................................................................................................................................................11

 

مثال.......................................................................................................................................................................................16

 

کنترل نیمه فعال................................................................................................................................................................17

 

نتایج شبیه سازی...............................................................................................................................................................20

 

نتیجه گیری........................................................................................................................................................................22.

 

مراجع 23

 

 

 

 

چکیده

رویکرد موجود برای جلوگیری از لرزش سازه های انعطاف پذیر بر پایه ی میرایی [1]اصطکاک در مفصل های نیمه فعال است.در نقاط مطلوب اتصالات صلب مرسوم یک سازه خرپایی بزرگ با مفصلهای اصطکاکی نیمه فعال جایگزین شدند. دو ایده ی متفاوت برای کنترل نیروها در سطوح اصطکاکی به کار گرفته شده است.در رویکرد اول هر مفصل نیمه فعال دارای یک کنترل کننده ی بازخورد محلی بوده در حالی در دیدگاه دوم از یک کنترل کننده بهینه مقایسه ای سراسری استفاده میکنیم.نتایج شبیه سازی برای یک  سازه خرپایی ده دهانه توانایی بالقوه ایده پیشنهاد شده را نشان داد.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

  1. 1.مقدمه

 

سازه های بزرگ فضایی( )معمولا به صورت سازه های خرپایی انعطاف پذیر با ابعاد بزرگ و وزن کم طراحی میشوند.به دلیل میرایی کم و جاگیری دقیق،بسیاری از ماموریتها که شامل وارد کردن آنتن یا تداخل سنج نوری هستند،مستلزم جلوگیری از ارتعاشات میباشند.آثار بسیاری در زمینه جلوگیری از ارتعاش فعال منتشر شده است.اغلب تجهیزات فیزوالکتریکی[2] به خاطر وزن کم،نیروی زیاد و حداقل مصرف توان به عنوان فعال کننده به کار گرفته میشوند.اگرچه  رویکرد فعال[3] بسیار جالب است،سیستم های کنترل شده ی فعال ممکن است باعث بروز ناپایداری خارجی شوند.رویکردهای غیر فعال[4] مانند مصالح ویسکو الاستیک جهت بهبود میرایی ممکن است به دلیل سادگی و ارزانی مطلوب باشند.رویکرد حاضر بر پایه میرایی اصطکاک در اتصالات مفصلی یک سازه خرپایی میباشد.به نظر میرسد که اصطکاک که به دلیل لغزش در محل تماس قسمت های متصل شده به وجود می آید باعث اتلاف مقدار زیادی انرژی میشود.گره های اصلی خرپا طوری طراحی شده اند که امکان لغزش نسبی بین بست انتهایی عضو خرپا و گره خرپا وجود داشته باشد.

 

اما رویکردهای غیرفعال برای جلوگیری از ارتعاش به مراتب به موثری رویکردهای فعال نیستند.میرایی غیرفعال اصطکاک معایب متعددی دارد.هنگامی که دامنه ی ارتعاش از یک حد معینی کمتر شود تاخیر و گیر کردن [5]رخ میدهد و انرژی بیش از این تلف نمیشود.به علاوه اگر نیروی تاخیری تقریبا زیاد باشد،قسمت های متصل شده میتوانند گیر کنند،بنابراین تعادل استاتیکی هندسی قابل تضمین نمیباشد.برای غلبه بر این مضرات،نیروی اصطکاک در اتصال مفصلی با تغییر نیروی نرمال در سطح تماس به وسیله تجهیزات فیزوالکتریکی کنترل میشود.از آنجا که یک وسیله غیرفعال به صورت فعال کنترل میشود،این رویکرد نیمه فعال نامیده میشود.به دلیل ذات اتلافی اصطکاک،ارتعاش جلوگیری شده ی حاصل از این فرایند همیشه پایدار است.دیگر دستاورد کنترل نیمه فعال این است که با استفاده از قسمتی از توان ورودی،مراتبی از عملکرد کنترل فعال به دست می آید.به علاوه این ایده به آسانی و بدون افزایش قابل توجهی در وزن سازه قابل استفاده است.

 

این مقاله به این صورت ادامه میابد:با ارائه یک مدل عددی برای سازه ی تطبیقی شامل سازه خرپایی آغاز میشود.این سازه خرپایی به عنوان یک زیرسیستم خطی و مفاصل نیمه فعال غیرخطی که نیروی اصطکاک تابع حالت[6] را به یک زیرسیستم خطی اعمال میکنند در نظر گرفته میشود.پارامترهای مدل اصطکاک غیرخطی را باید از اندازه گیری های انجام شده بر روی یک مفصل مجزا به دست آورد.بر اساس حالت حلقه باز[7] مدل فضایی زیرسیستم خطی،با استفاده از ماتریسهای گرامیان[8] کنترل پذیری و مشاهده پذیری ،روش کاهش مرتبه[9] انجام میشود.برای بهبود صدق مدل کاهش یافته در فرکانس های کمتر،زیر فضای کیفی با استفاده از بردارهای کریلو [10]تکمیل میشود.

 

در مکانهای مطلوب،اتصالات مرسوم با مفاصل اصطکاکی نیمه فعال جایگزین میشوند ودو ایده کنترلی متفاوت برای جلوگیری از ارتعاش نیمه فعال مطرح میشود:کنترل کننده محلی و کنترل کننده بهینه مقایسه ای.نتایج مدل سازی برای سازه خرپایی ده دهانه توان بالقوه رویکرد نیمه فعال حاضر را آشکار کرد.

 

 

 


دانلود با لینک مستقیم


پروژه میرایی نیمه فعال اصطکاک در سازه های خرپایی فضایی بزرگ