ژیکو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

ژیکو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

دانلود اصول دیود PIN

اختصاصی از ژیکو دانلود اصول دیود PIN دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 9

 

 اصول دیود PIN

دیود PIN وسیله ی نیمه هادی است که به عنوان یک مقاومت متغیر در فرکانسهای RF و مایکروویوی عمل می کند. مقدار مقاومت دیود PIN به تنهائی توسط جریان dc بایاس مستقیم آن مشخص می شود.

دیود PIN وسیله ی نیمه هادی است که به عنوان یک مقاومت متغیر در فرکانسهای RF و مایکروویوی عمل می کند. مقدار مقاومت دیود PIN به تنهائی توسط جریان dc بایاس مستقیم آن مشخص می شود.

دیود PIN می بایست در کاربردهای سوئیچ و تضعیف کننده به طور ایده آلی سطح سیگنال RF را بدون اعوجاج کنترل کند زیرا ممکن است باعث تغییراتی در شکل سیگنال RF شود. مشخصه ی مهم و افزوده ی این دیودها توانائی آنها در کنترل سیگنالهای RF بزرگ در هنگامی است که از سطح تحریک dc بسیار کمی استفاده می کنند.

مدلی از دیود PIN در شکل 1 نشان داده شده است. این چیپ با شروع از یک ویفر تهیه می شود که اغلب به طور ذاتی سیلیکون خالص است و عمر زیادی دارد. سپس ناحیه ی P روی یک سطح و ناحیه ی N روی سطح دیگر تزریق می شوند. ضخامت W ناحیه ی ایجاد شده یا ناحیه-I تابعی از ضخامت ویفر سیلیکونی پایه است و مساحت چیپ A وابسته به این است که به چه مقدار بخش های کوچکی از ویفر اصلی تعریف شده است.

کارایی دیود PIN در ابتدا وابسته به ظاهر چیپ و طبیعت نیمه هادی دیود ساخته شده خصوصاً در ناحیه-I است. اگر ضخامت ناحیه-I کنترل شود، طول عمر بالای عبور حامل و مقاومت بالای آن را به همراه خواهد داشت. این مشخصات توانائی کنترل سیگنال RF را با کمترین اعوجاج بهبود می بخشند آن هم در مواقعی که نیازمند استفاده از منبع تغذیه ی dc سطح پائین هستیم.

 

دیود PIN در بایاس مستقیم

هنگامیکه که دیود PIN در بایاس مستقیم است، حفره ها و الکترونها از نواحی P و N به ناحیه-I انتشار می یابند. این بارها به سرعت ترکیب مجدد نمی شوند و در عوض مقدار محدودی از بارها برای همیشه در ناحیه-I باقی مانده و مقاومت آن را کاهش می دهند. مقدار بار ذخیره شده Q به زمان ترکیب مجدد، τ عمرحامل، و جریان بایاس مستقیم IF وابسته است(رابطه ی 1):

 

مقاومت RS ناحیه-I تحت بایاس مستقیم به طور معکوس به Q وابسته بوده و ممکن است به شکل زیر بیان شود(رابطه ی 2):

 

از ترکیب روابط 1 و 2 رابطه ای برای RS بدست می آید که به عنوان تابعی معکوس از جریان است(رابطه ی 3):

 

این رابطه مستقل از مساحت است ولی در دنیای واقعی، RS کمی به مساحت وابسته است آن هم از این جهت که عمر موثر با مساحت و ضخامت (ناشی از ترکیب مجدد لبه) تغییر می کند. به طور نمونه، دیودهای PIN مشخصه مقاومت مشابه آنچه در شکل 2 رسم شده است را دارند. مقاومت در حدود 0.1 اهم در جریان بایاس مستقیم 1A به حدود 10K اهم در جریان بایاس مستقیم 1uA افزایش می یابد که بازه ای خوب برای دیود PIN است.

 

ماکزیمم مقاومت بایاس مستقیم (RS(max برای یک دیود PIN معمولاً در جریان بایاس مستقیم 100mA مشخص می شود. در بعضی مواقع  (RS(min  توسط جریان بایاس مستقیم 10uA مشخص می شود. این مشخصه ها یک بازه ی وسیع از مقاومت دیود را تضمین می کنند که خصوصاً در کاربردهای تضعیف کننده مهم است. در فرکانسهای پائینتر، RS ثابت نیست ولی با کاهش فرکانس، افزایش می یابد. دیودهای PIN معمولی که برای کار در فرکانسهای RF و مایکروویوی طراحی شده اند این افزایش در مقاومت RS را در بازه ی 1MHz تا 10MHz نشان می دهند. مثال خوب از این بازه ی فرکانسی سری


دانلود با لینک مستقیم


دانلود اصول دیود PIN

پاورپوبنت درمورد دیود پیوندی

اختصاصی از ژیکو پاورپوبنت درمورد دیود پیوندی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

 

دسته بندی : پاورپوینت 

نوع فایل:  ppt _ pptx

( قابلیت ویرایش )

 


 قسمتی از اسلاید پاورپوینت : 

 

تعداد اسلاید : 42 صفحه

تمرین های فصل 2 – 3 الکترونیک 1 بسمه تعالی فصل دوم : دیود پیوندی 1- در مدار شکل زیر دیود ژرمانیوم در دمای معمولی دارای جریان اشباع معکوس A µ 10 , ولتاژ شکست v 100 و مقاومت اهمی ناچیز است .
جریان مدار را در حالت های زیر بدست آورید : الف ( دیود به صورت مستقیم با یاس شده باشد. ب ( دیود به صورت معکوس با یاس شده باشد. + _ VD 1k I + _ 30V حل : الف – I = IS ( e - 1) = 10 × 0.001 ( e - 1)mA I = 10 × 0.001 × e جهت حل این معادله از روش سعی خطا استفاده می نماییم . ولتاژ دو سر دیود ژرمانیم در حال هدایت تقریبا 0.2 ولت است بنا براین داریم : I = (30 - 0.2) / 1 = 29.8mA بنابراین با I = 29.5mA شروع می کنیم , 29.5 = 10 × 0.001 × e ~ 150mA جریان تقریبی درست نیست I = 29.5mA 29.6 = 10 × 0.001 × e ~ 21.9mA 29.55 = 10 × 0.001 × e ~ 57.32mA و ملاحظه می شود که I = 29.6mA به جواب نزدیک می باشد لذا داریم , I = 29.6mA ب – در حالت بایاس معکوس جریان مدار جریان اشباع معکوس خواهد بود . I = IS = 10 A درست نیست I = 29.55mA درست نیست I = 29.6mA 19 .
مدارشکل زیر را در نظر بگیرید.
با فرض Is2 = Is1 = 15nA و Is4 = Is3 = 40nA ولتاژها و جریان های دیودها را بدست آورید.
D2 D4 D1 D3 + + + + + - - - - - V1 V3 V2 V4 20V حل : داریم , V1 = V2 , V3 = V4 , V1 + V3 = - 20 ID1 + ID2 = ID3 + ID4 دیود ها در بایاس معکوس می باشند وبه شکست نرسیده اند ( فرض می کنیم ولتاژ شکست بیشتر از 20 ولت باشد)اگرازD3 وD4جریان اشباع معکوس بگذرد داریم , ID1 + ID2 = ID3 + ID4 = - ( IS3 + IS4 ) = - ( 20+ 40 ) = - 60n IS1= IS2 و VD1 = VD2 بوده و دراین صورت جریان ID1 و ID2 هر کدام 30nA می شود که از جریان اشباع معکوس آن ها بیشتر خواهد بود ودیود های D2 وD1 در شکست می باشند که امکان پذیر نمی باشد دیود های D2 وD1 جریان اشباع معکوس گذشته و از دیودهای D3 وD4 جریانی کمتر از جریان اشباع معکوس آن ها خواهد گذشت و داریم , ID1 = ID2 = - 15nA , ID3 + ID4 = 2ID2 = - 30nA )1 ) چون V3 = V4 ID4 / ID3 = IS4 / IS3 = 40 / 20 = 2 ID4 = 2 ID3 و با جایگزینی در رابطه 1 خواهیم داشت , ID3 + 2 ID3 = -30nA ID3 = - 10nA ID4 = - 20nA با جایگزینی در رابطه دیود خواهیم داشت , ID3 = IS3 ( e - 1 ) - 10 = 20 ( e - 1 ) e = ½ و بدست می آوریم , V3 = - 2 × 26 ln2 = - 36mV V4 = V3 – 36mV و با KVL خواهیم داشت , V1 = V2 = - 20 – V3 = - 20 – ( - 0.036 ) = - 19.964 V فصل سوم : مدارهای دیودی I3 10K 10K 10K 10K 1- درمدارهای دیودی شکل زیر ولتاژ ها و جریان های نشان داده شده را محاسبه کنید.
دیود ها را ایده ال در نظر بگیرید.
10 v 30 v حل : V k =( 30 × 10) /(10 +10) = 15 V A = (10 × 10) /(10 +10) = 5 \ D , off است.
I3 = 0 A K V A < V K D4 , D3 , D2 , D1 , on فرض می شوند. حل : I20 =10 / 20 = ½ m A I80 = 10 / 80 = 1/8 m A I40 = 10 / 40 = 1 / 4 m A I10 = 10 / 10 =1 m A ID4 = I

  متن بالا فقط قسمتی از اسلاید پاورپوینت میباشد،شما بعد از پرداخت آنلاین ، فایل کامل را فورا دانلود نمایید 

 


  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود پاورپوینت:  توجه فرمایید.

  • در این مطلب، متن اسلاید های اولیه قرار داده شده است.
  • به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید
  • پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد
  • در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
  • در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون پاورپوینت قرار نخواهند گرفت.
  • هدف فروشگاه کمک به سیستم آموزشی و یادگیری ، علم آموزان میهن عزیزمان میباشد. 


 

 

 « پرداخت آنلاین و دانلود در قسمت پایین »




دانلود با لینک مستقیم


پاورپوبنت درمورد دیود پیوندی

تحقیق درباره دیود چیست

اختصاصی از ژیکو تحقیق درباره دیود چیست دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 14

 

مقدمه دیودها جریان الکتریکی را در یک جهت از خود عبور می‌‌دهند و در جهت دیگر در مقابل عبور جریان از خود مقاومت بالایی نشان می‌‌دهند. این خاصیت آنها باعث شده بود تا در سالهای اولیه ساخت این وسیله الکترونیکی ، به آن دریچه یا Valve هم اطلاق شود. از لحاظ الکتریکی یک دیود هنگامی عبور جریان را از خود ممکن می‌‌سازد که شما با برقرار کردن ولتاژ در جهت درست (+ به آند و - به کاتد) آنرا آماده کار کنید. مقدار ولتاژی که باعث می‌شود تا دیود شروع به هدایت جریان الکتریکی نماید ولتاژ آستانه یا (forward voltage drop) نامیده می‌شود که چیزی حدود 0.6 تا 0.6 ولت می‌‌باشد. ولتاژ معکوس هنگامی که شما ولتاژ معکوس به دیود متصل می‌‌کنید (+ به کاتد و - به آند) جریانی از دیود عبور نمی‌کند، مگر جریان بسیار کمی که به جریان نشتی یا Leakage معرف است که در حدود چند µA یا حتی کمتر می‌‌باشد. این مقدار جریان معمولآ در اغلب مدارهای الکترونیکی قابل صرفنظر کردن بوده و تأثیر در رفتار سایر المانهای مدار نمی‌گذارد. اما نکته مهم آنکه تمام دیودها یک آستانه برای حداکثر ولتاژ معکوس دارند که اگر ولتاژ معکوس بیش از آن شود دیود می‌‌سوزد و جریان را در جهت معکوس هم عبور می‌‌دهد. به این ولتاژ آستانه شکست یا Breakdown گفته می‌شود. دسته بندی دیودها در دسته بندی اصلی ، دیودها را به سه قسمت اصلی تقسیم می‌‌کنند، دیودهای سیگنال (Signal) که برای آشکار سازی در رادیو بکار می‌‌روند و جریانی در حد میلی آمپر از خود عبور می‌‌دهند، دیودهای یکسو کننده (Rectifiers) که برای یکسو سازی جریانهای متناوب بکار برده می‌‌شوند و توانایی عبور جریانهای زیاد را دارند و بالاخره دیودهای زنر (Zener) که برای تثبیت ولتاژ از آنها استفاده می‌شود. اختراع دیود پلاستیکی (plastic diode) محققان فیزیک دانشگاه اوهایو (Ohio State University) توانستند دیود تونل پلیمری اختراع کنند. این قطعه الکترونیکی منجر به ساخت نسل آینده حافظه‌های پلاستیکی کامپیوتری و چیپهای مدارات منطقی خواهد شد. این قطعات کم مصرف و انعطاف پذیر خواهند بود. ایده اصلی از سال 2003 که یک دانشجوی کارشناسی دانشگاه اوهایو ، سیتا اسار ، شروع به طراحی سلول خورشیدی پلاستیکی نمود بوجود آمد. تیم پژوهشی توسط پاول برگر (Paul Berger) ، پروفسور الکترونیک و مهندسی کامپیوتر و همچنین پروفسور فیزیک دانشگاه اوهایو رهبری می‌شود. دیودهای نور گسل در دیودی که بایاس مستقیم دارد، الکترونهای نوار رسانش از پیوندگاه عبور کرده و به داخل حفره‌ها می‌افتند. این الکترونها به هنگام صعود به نوار رسانش انرژی دریافت کرده بودند که به هنگام برگشت به نوار ظرفیت انرژی دریافتی را مجددا تابش می‌کنند. در دیودهای یکسوساز این انرژی به صورت گرما پس داده می‌شود، ولی دیودهای نور گسل LED این انرژی را به صورت فوتون تابش می‌کنند. فوتودیودها انرژی گرمایی باعث تولید حامل‌های اقلیتی‌ در دیود می‌گردد. با افزایش دما جریان دیود در بایس معکوس افزایش می‌یابد. انرژی نوری هم همانند انرژی گرمایی باعث بوجود آمدن حاملهای اقلیتی ‌می‌گردد. کارخانه‌های سازنده با تعبیه روزنه‌ای کوچک برای تابش نور به پیوندگاه دیودهایی را می‌سازند که فوتودیود نامیده می‌شوند. وقتی نور خارجی به پیوندگاه یک فوتودیود که بایس مستقیم دارد فرود آید، زوجهای الکترون _ حفره در داخل لایه تهی بوجود می‌آیند. هرچه نور شدیدتر باشد، مقدار حاملهای اقلیتی ‌نوری افزایش یافته، در نتیجه جریان معکوس بزرگتر می‌شود. به ‌این دلیل فوتودیودها را آشکارسازهای نوری گویند. وراکتور نواحی p و n در دو طرف لایه تهی را می‌توان مانند یک خازن تخت موازی در نظر گرفت، ظرفیت این خازن تخت موازی را ظرفیت خازن انتقال یا ظرفیت پیوندگاه گویند. ظرفیت خازن انتقال CT هر دیود با افزایش ولتاژ معکوس کاهش می‌یابد. دیودهای سیلسیم که برای این اثر ظرفیتی طراحی و بهینه شده‌اند، دیود با ظرفیت متغییر یا وارکتور نام دارند. وراکتور موازی با یک القاگر تشکیل یک مدار تشدید را می‌دهد که با تغییر ولتاژ معکوس وراکتور می‌توانیم فرکانس تشدید را تغییر بدهیم. دیودهای شاتکی دیود شاتکی یک وسیله تک‌قطبی است که در آن به جای استفاده ‌از دو نوع نیمه ‌هادی p و n متصل به هم ، معمولا از یک نوع نیم ‌هادی سیلیسیم نوع n با یک اتصال فلزی مانند طلا – نقره یا پلاتین استفاده می‌شود. در هر دو ماده ‌الکترون حامل اکثریت را تشکیل می‌دهد. وقتی که دو ماده به هم متصل می‌شوند،


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق درباره دیود چیست

تحقیق در مورد آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور 35 ص

اختصاصی از ژیکو تحقیق در مورد آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور 35 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 36

 

آشنایی با ساختمان و عملکرد

نیمه هادی دیود و ترانزیستور

ارائه شده به:

توسط :

امیرحسین لطف اله‌پور

رشته : عمران

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها

نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.

ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.

ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد .

این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر کشف شد.

این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک و تنارد کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .

اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.

بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.

د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.

بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.

نیمه هادی نوع N وP

از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.

بنابرین هر اتم آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N نام دارد.

در نیمه هادی نوع N ، چون تعداد الکترون ها خیلی بیشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدایت جریان را انجام می‌دهند . به حامل


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق در مورد آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور 35 ص

پاورپوینت کارکرد دیود در مدار

اختصاصی از ژیکو پاورپوینت کارکرد دیود در مدار دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

 

دسته بندی : پاورپوینت 

نوع فایل:  ppt _ pptx

( قابلیت ویرایش )

 


 قسمتی از محتوی متن پاورپوینت : 

 

تعداد اسلاید : 18 صفحه

کاربرد دیود در مدار پیش زمینه فراگیران عزیز: نام هریک از قطعاتی را که در مدار بالا می بینید در دفتر خود بنویسید.
1 2 3 نوشته های خود رابا مدار بالا مقایسه کنید. با وسایلی که در اختیار دارید مدار بالا را نصب نمایید 2 لامپ منبع تغذ یه(باتری) کلید همینک کلید را وصل کنید.چه اتفاقی می افتد؟
2 لامپ منبع تغذ یه(باتری) کلید مشاهده کردید که لامپ روشن گردید 2 لامپ منبع تغذ یه(باتری) کلید اینک قطعه ی شماره 3 را به مدار خود اضافه کنید. کلید را وصل کنید.اگر لامپ روشن نشدجای پایه های قطعه ی شماره3 را عوض نمایید.کلید را وصل نمایید.
2 لامپ منبع تغذ یه(باتری) کلید 3 3 در این مرحله لامپ باید روشن گردد(در صورت روشن نشدن لامپ-باتری-کلیدواتصالات را کنترل کنیدتا مطمئن شوید که سالم اند.) 2 لامپ منبع تغذ یه(باتری) کلید 3 3 جای پایه های دیود را در مدار عوض کنید.کلید را وصل کنید.چه اتفاقی می افتد؟
آیا می توانید علت را بیان کنید؟
2 لامپ منبع تغذ یه(باتری) کلید 3 3 مشاهده کردید که با جابه جا کردن پایه ها دیگر لامپ روشن نمی شود.پس میتوان گفت که این قطعه فقط از یک طرف جریان الکتریسیته را عبور میدهد نتیجه این قطعه ی الکترونیکی دیود نام دارد دیود قطعه ی ا لکترونیکی است که با شمای فنی زیر نمایش داده می شود.
دیود شبیه کلید یک پلی است که فقط از یک طرف جریان الکتریسیته را عبور میدهد.
دیود ها انواع متفاوتی دارند: دیود های متفاوتی را میتوانید در اسلاید بعدی مشاهده نمایید دیود قدرت دیود پل دیود معمولی انواع دیود دیود نوری LED کاربردهای دیود 1- در ماشین حساب و ساعت هاىدیجیتالى 2- تبدیل جریان متناوب به مستقیم با امید موفقیت پایان دی ماه 1384 .

  متن بالا فقط قسمتی از محتوی متن پاورپوینت میباشد،شما بعد از پرداخت آنلاین ، فایل را فورا دانلود نمایید 

 


  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود پاورپوینت:  توجه فرمایید.

  • در این مطلب، متن اسلاید های اولیه قرار داده شده است.
  • به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید
  • پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد
  • در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
  • در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون پاورپوینت قرار نخواهند گرفت.
  • هدف فروشگاه پاورپوینت کمک به سیستم آموزشی و رفاه دانشجویان و علم آموزان میهن عزیزمان میباشد. 


 

دانلود فایل  پرداخت آنلاین 


دانلود با لینک مستقیم


پاورپوینت کارکرد دیود در مدار