پاورپوینت یک حافظه ثانوی باند مغناطیسی

اختصاصی از ژیکو پاورپوینت یک حافظه ثانوی باند مغناطیسی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دسته بندی : پاورپوینت 

نوع فایل:  ppt _ pptx

( قابلیت ویرایش )

---

 قسمتی از اسلاید متن پاورپوینت : 

تعداد اسلاید : 13 صفحه

Lecture 4A Secondary Storage Device:Magnetic Tape (sections 3.2 – 3.3) یک حافظه ثانوی: باند مغناطیسی(Magnetic Tape) باند مغناطیسی (Magnetic Tape)چیست؟
خواص باند مغناطیسی خواص باند مغناطیسی چیست؟
امکان دسترسی مستقیم (direct access) به رکوردها را نمی دهد! (چرا؟
) ولی امکان دسترسی سری (sequential access) را با سرعت بالا دارد. در مقابل شرایط مختلف محیطی (environment) پایداری خوبی دارد. براحتی حمل و نگهداری می شود .
از دیسکهای سخت ارزانتر است. در گذشته برای نگهداری فایلهای بزرگ (بجای دیسکهای سخت) استفاده می شد.
(چرا؟
) ولی اکنون فقط برای آرشیو داده ها (backup) استفاده میشود.
(چرا؟
) ساختار باند مغناطیسی ساختار یک باند مغناطیسی چگونه است؟
باند مغناطیسی 9 شیاری (Nine-Track Tapes) چیست؟
ساختار باند مغناطیسی باند مغناطیسی 9 شیاری (Nine-Track Tapes) چیست؟
داده ها روی 9 شیار موازی به صورت دنباله ای از بیت ها (bits) ثبت میشوند. بنابراین هر مقطع از باند (Frame) شامل 9 بیت و معادل یک بایت داده میباشد. در هر 9 بیت ، هشت بیت برای داده ها و یک بیت برای کنترل صحت (Parity) داده ها وجود دارد.
(چگونه؟
) ساختار باند مغناطیسی ساختار یک باند مغناطیسی چگونه است؟
مکان منطقی (Logical Position) یک بایت همان مکان فیزیکی آن میباشد. یعنی رکوردها به طور مرتب پشت سرهم قرار دارند.
(Sequential Access) File Structure Dr.
M.
Rahgozar ساختار باند مغناطیسی ساختار یک باند مغناطیسی چگونه است؟
در فاصله بین بلوک داده ها فضای استفاده نشده ای به نام Gap وجود دارد که در آن تمام بیتها صفر می باشند در گذشته نوع رایج باندها حاوی 6250 بایت دراینچ (bpi) بوده است. انواع جدیدتر باندها 30,000 bpi یا بیشتر میباشند File Structure Dr.
M.
Rahgozar ظرفیت باند مغناطیسی تخمین طول باند مورد نیاز چگونه است؟
راندمان استفاده از باند به چه عواملی بستگی دارد؟
فشردگی داده های باند (Tape density) مثال 6250 bpi : سرعت حرکت باند (Tape Speed) مثال 200 ips : فاصله بین بلوکهای داده (inter block gap) مثال 0.3 inch : File Structure Dr.
M.
Rahgozar ظرفیت باند مغناطیسی تخمین طول باند مورد نیاز چگونه است؟
مثال: فایلی با مشخصات 1,000,000 رکورد 100 بایتی را در نظر میگیریم . طول باند مورد نیاز را با فشردگی bpi 6250 برای دو حالت مختلف حساب میکنیم. حالت اول :فاکتور بلوک (blocking factor) برابر با یک : طول مورد نیاز =تعداد بلوک ها ) * طول هر بلوک + فاصله بین بلوکها ( طول مورد نیاز 316.000=1,000,000*(100/6250+0.3)=اینچ یعنی بیش از 10 کارتریج 2400 فوتی (Cartridge) درگذشته رایجترین طول کارتریجها 2400 فوت بوده است.
اکنون کارتریجهای معمول با طول 3600 فوت یا بیشترمیباشند.
(ظرفیت؟
) File Structure Dr.
M.
  متن بالا فقط قسمتی از محتوی متن پاورپوینت میباشد،شما بعد از پرداخت آنلاین ، فایل را فورا دانلود نمایید 

---

  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود پاورپوینت:  توجه فرمایید.

• در این مطلب، متن اسلاید های اولیه قرار داده شده است.
• به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید
• پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد
• در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
• در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون پاورپوینت قرار نخواهند گرفت.
  
• هدف فروشگاه کمک به سیستم آموزشی و رفاه دانشجویان و علم آموزان میهن عزیزمان میباشد. 
  

---

دانلود فایل  پرداخت آنلاین 

تحقیق درمورد حافظه DRAM

اختصاصی از ژیکو تحقیق درمورد حافظه DRAM دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 20

پروژه شماره 2

عنوان پروژه : DRAM (گذشته ، امروز ، آینده)

مقدمه :

همانطوریکه می دانیم امروزه بشر در عصر ارتباطات و تکنولوژی به حافظه برای تجهیزات مختلف نیازمند است . یکی از انواع حافظه ها DRAM یا Dynamic Random memory می باشد که این DRAM ها مصارف مختلفی دارند از جمله در Computing ، infrastueture ، Entertainment و infocom و جاهای دیگر صنعتی.

برای ساخت DRAM در تکنولوژیهای مختلفی استفاده شده است که ما در اینجا از ساده ترین DRAM ها شروع می کنیم که از یک ترانزیستور و خازن و AMP استفاده شده است و به ساختار DRAM های 1k و 4k و 16k و ... می پردازیم . و نهایتاً یکی از تکنولوژیهای جدیدی که در ساخت DRAM ها بکار رفته است را شرح می‌دهیم . این تکنولوژی های ساخت DRAM با استفاده از SO1 (Silicon on islatnr) می باشد .

بنابراین بطورکلی این روژه از 2 قسمت تشکیل شده است . قسمت اول آن مربوط به توضیح راجع به DRAM ها (از جهات مختلف) و مقایسه و کاربرد آنها و ... می باشد و قسمت دوم پروژه مربوط به توضیح راجع به تکنولوژی SO1 و کاربرد آن در DRAM می باشد .

شرح پروژه :

قسمت اول , ساختمان و خصوصیات DRAM :

DRAM در واقع مخفف Dynamic Random Access Memory است که حالت ساده آن به شکل زیر است که از یک ترانزیستور ساده و خازن و یک AMP تشکیل شده است .

DRAM ها دارای خصوصیاتی از جمله Read و Write هستند . اساس سلول DRAM از نظر Cross-Section و Layout در شکل زیر مشخص است و عیب این روش area می باشد . علاوه بر این ، 2 خصوصیت عمده از DRAM ها ذکر شده است که عبارتند از :

1-Stacked cell(Expand up) : طبق شکل

2-Trench cell(Expand Down) : طبق شکل

همانطوریکه گفته شد DRAM می تواند عمل Read و Write را انجام دهد .

برای عمل write باید bitline یا در حالت high باشد یا low و word line باید از موقعیت high باشد .

اما برای عمل Read bitline در وضعیت precharge است تا ولتاژ halfway شود (یعنی حالت high و Low) و باز هم Word Line در وضعیت high است .

در DRAM یک AMP حسی داریم که وضعیت charge را آشکار می کند و این Charge به خازن وابسته است .

توجه به این نکته ضروری است که DRAM ها به refresh نیاز دارند (برعکس SRAM ها) زیرا دارای جریان نشتی هستند . همچنین آدرسها در DRAM به 2 قسمت تقسیم می شود :

1-RAS (Row Access Strobe)

2-Cas (Column Access Strobe)

پارامترهای کلیدی Timing در یک DRAM :

1- : کمترین زمان از Ras Line تا یک دیتای خروجی معتبر و با ارزش که این زمان مثلاً برای یک 4Mb DRAM حدوداً 60ns است .

2-: کمترین زمان از شروع یک row Access تا شروع بعدی که این زمان برای یک 4Mbit DRAM با تقریباً است .

3- : کمترین زمان از CAS Line تا یک دیتای خروجی معتبر و با ارزش که این زمان برای DRAM 4Mb با حدود است .

4- : کمترین زمان از شروع یک Column Access تا شروع بعدی است . که این زمان هم برای یک 4Mbit DRAM با حدود است .

طراحی DRAM :

پروژه و تحقیق-حافظه و هوش در روانشناسی یادگیری- در 70 صفحه-docx

اختصاصی از ژیکو پروژه و تحقیق-حافظه و هوش در روانشناسی یادگیری- در 70 صفحه-docx دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

یادگیری اساس فهم رفتار است. از آنجایی که اکثریت رفتارهای آدمیان یاد گرفته می‌شوند، بررسی اصول یادگیری به ما کمک می‌کند تا علت رفتارهایمان را بشناسیم. آگاهی از شیوه‌های یادگیری نه تنها در فهم رفتار بهنجار به ما کمک می‌کند، بلکه امکان درک بیشتر شرایطی را که منجر به رفتار ناهنجار می‌شود را نیز به ما می‌دهد و در نتیجه روشهای موثر روان درمانی بوجود می‌آید. روشهای فرزندپروری نیز می‌توانند از اصول یادگیری بهره‌مند گردند.

استفاده از اصول و قوانین ارائه شده توسط نظریات یادگیری در اعمال شیوه‌های تربیتی مناسب برای برخورد با کودکان نقش اساسی دارد. افزون بر این بین اصول یادگیری و روشهای آموزشی رابطه نزدیکی وجود دارد. شیوه‌های آموزشی کلاسها و مدارس عمدتا بر مبنای اصول یادگیری انجام می‌شوند. 
حافظه: به قابلیت مغز در اندوزش، نگه داری و یادآوری اطلاعات اطلاق میگردد.

مراحل شکل گیری و بازیابی حافظه

1- رمز گردانی(ENCODING):به پردازش و ادغام اطلاعات دریافتی اطلاق میگردد.

2- اندوزش و یا یادسپاری(STORAGE):به ثبت پایدار اطلاعات رمزگردانی شده اطلاق میگردد.

3- یادآوری و یا بازیابی(RETRIEVAL/RECALL):به فراخوانی اطلاعات اندوخته شده اطلاق میگردد.

طبقه بندی حافظه بر اساس مدت زمان نگه داری اطلاعات

1- حافظه حسی(SENSORY MEMORY): نخستین مرحله پردازش اطلاعات است. هنگامی که محرکات بیرونی توسط حواس دریافت میگردند. مدت زمان نگه داری اطلاعات در این حافظه از چند میلی ثانیه تا چند ثانیه متغیر است. این حافظه برای هر کانال حسی وجود دارد. حافظه ICONIC برای محرکات دیداری، حافظهECHOIC برای محرکات شنیداری و حافظه HAPTIC برای حس لامسه. حافظه حسی بخشی از فرآیند ادراک میباشد. گنجایش حافظه حسی بسیار زیاد میباشد اما مانند حافظه بلند مدت نامحدود نیست.

2- حافظه کوتاه مدت(SHORT-TERM MEMORY): با "توجه" و "دقت کردن" اطلاعات از حافظه حسی به حافظه کوتاه مدت انتقال می یابد. مدت زمان نگه داری اطلاعات در حافظه کوتاه مدت از چند ثانیه تا چند دقیقه متغیر میباشد. تغییر در اتصالات و پیوندهای نورونی بطور موقت و گذرا حافظه کوتاه مدت را پدید می آورد. حافظه کوتاه مدت به مثابه یک دفترچه یادداشت موقت میباشد. ظرفیت حافظه کوتاه مدت که به فراخنای حافظه(MEMORY SPAN) موسوم است در افراد مختلف متفاوت میباشد. فراخنای حافظه معمولا برای ارقام 7 ماده، برای حروف 6 ماده و برای واژه ها 5 ماده میباشد. فراخنای حافظه برای ارقام بدین معنی است که فرد میتواند تا 7 رقم پیاپی را پس از شنیدن بطور صحیح بازگو کند. اما اخیرا صاحبنظران فراخنای حافظه را در حدود 4 ماده (واحد) اطلاعات تخمین میزنند. در صورت عدم مرور ذهنی و تکرار محتوای حافظه کوتاه مدت، اطلاعات محو شده و زوال می یابند. ظرفیت حافظه کوتاه مدت را میتوان با روش تقطیع(CHUNKING) افزایش داد. در این روش اطلاعات به واحد های کوچک تقسیم بندی میگردند. حافظه کوتاه مدت فرار بوده وبرای رفع نیازهای آنی وفوری بکار میرود. رمز گردانی در حافظه کوتاه مدت عمدتا شنیداری میباشد.

3- حافظه فعال(WORKING MEMORY): حافظه فعال یک اصطلاح نو میباشد. دانشمندان حافظه فعال را جایگزین حافظه کوتاه مدت کرده اند چراکه حافظه کوتاه مدت نمیتواند یک حافظه منفعل باشد و دستکاری اطلاعات نیز در آن صورت میگیرد. از اینرو ظرفیت حافظه کوتاه مدت جای خود را به ظرفیت پردازش داده است. حافظه فعال در واقع تلفیقی است از حافظه کوتاه مدت و عنصر توجه برای انجام تکالیف ذهنی خاص. بنابراین حافظه فعال یک سیستم فعال وپویایی است که برای اندوزش و دستکاری موقتی اطلاعات  و بمنظور انجام تکالیف شناختی پیچیده نظیر یادگیری، استدلال، ادراک و تفکر کردن بکار میرود. هنگامی که شما اطلاعاتی را مرور ذهنی، بازیابی و یادآوری میکنید در واقع آن اطلاعات از حافظه بلند مدت به حافظه فعال شما انتقال می یابند. همچنین حافظه فعال بطور فعال در ارتباط با اطلاعاتی است که میخواهند به حافظه بلند مدت منتقل گردند. در مجموع سرحد مشخصی نمیتوان میان حافظه ها و افکار تعیین کرد. در هر فرآیندی که نیاز به استدلال دارد (مثل خواندن، نوشتن و محاسبات ذهنی) حافظه فعال درگیر میباشد. مثل تکرار فهرستی از ارقام که برای شما خوانده میگردد و شما میبایست آنها را عکس ترتیب اولیه شان (بطور معکوس) بازگو کنید و یا ترجمه همزمان ویا رانندگی.

4- حافظه بلند مدت(LONG-TERM MEMORY): با تکرار و مرور ذهنی اطلاعات از حافظه کوتاه مدت به حافظه بلند مدت انتقال می یابند. ظرفیت حافظه بلند مدت بر خلاف حافظه کوتاه مدت نامحدود میباشد. مدت نگه داری اطلاعات نیز از چند روز تا چند سال و بعضا تا آخر عمر متغیر میباشد. حافظه بلند مدت زمانی شکل میگیرد که اتصالات نورونی خاصی بطور دایمی و پایا تقویت شده باشند. ثابت گردیده پروتئینCYPIN با افزایش انشعابات دندریتها و شکل گیری سیناپسهای جدید اتصالات بین سلولهای عصبی (نورونها) را افزایش و تقویت میکند.

طبقه بندی حافظه بر اساس نوع اطلاعات در حافظه بلند مدت

1- حافظه اظهاری و یا آشکار(DECLARATIVE/EXPLICIT): این حافظه نیاز به یادآوری آگاهانه و هشیارانه دارد. فرآیند یادگیری در حافظه آشکار خودآگاه است. برای بازیابی آن به محرکات مختصر و سرنخ ها نیاز است

حافظه ها 9 اسلاید

اختصاصی از ژیکو حافظه ها 9 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دسته بندی : پاورپوینت 

نوع فایل:  ppt _ pptx

( قابلیت ویرایش )

---

 قسمتی از محتوی متن پاورپوینت : 

تعداد اسلاید : 9 صفحه

Y         FLASH حافظه های حافظه ها ی الکترونیکی با اهداف متفاوت و به اشکال گوناگون تاکنون طراحی و عرضه شده اند.
حافظه فلش ، یک نمونه از حافظه های الکترونیکی بوده که برای ذخیره سازی آسان و سریع اطلاعات در دستگاههائی نظیر : دوربین های دیجیتال ، کنسول بازیهای کامپیوتری و ...
استفاده می گردد.
حافظه فلش اغلب مشابه یک هارد استفاده می گردد تا حافظه اصلی .
در تجهیزات زیر از حافظه فلش استفاده می گردد : · تراشهBIOS موجود در کامپیوتر · CompactFlash که در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد .
· SmartMedia که اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد · Memory Stick که اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد .
· کارت های حافظه PCMCIA نوع I و II · کارت های حافظه برای کنسول های بازیهای ویدئویی حافظه های الکترونیکی حافظه فلاش یک نوع خاص از تراشه های EEPROM است .
حافظه فوق شامل شبکه ای مشتمل بر سطر و ستون است .
در محل تقاطع هر سطر و یا ستون از دو ترانزیستور استفاده می گردد.
دو ترانزیستور فوق توسط یک لایه نازک اکسید از یکدیگر جدا شده اند.
یکی از ترانزیستورها Floating gate و دیگری Control gate خواهد بود.
Floatino gate صرفا" به سطر (WordLine) متصل است .
تا زمانیکه لینک فوق وجود داشته باشد در سلول مربوطه مقدار یک ذخیره خواهد بود.
بمنظور تغییر مقدار یک به صفر از فرآیندی با نام Fowler-Nordheim tunneling استفاده می گردد. از Tunneling بمنظور تغییر محل الکترون ها در Floating gate استفاد می شود.
یک شارژ الکتریکی حدود 10 تا 13 ولت به floating gate داده می شود.
شارژ از ستون شروع ( bitline) و سپس به floating gate خواهد رسید .در نهایت شارژ فوق تخلیه می گردد( زمین ) .شارژ فوق باعث می گردد که ترانزیستور floating gate مشابه یک "پخش کننده الکترون " رفتار نماید .
الکترون های مازاد فشرده شده و در سمت دیگر لایه اکسید به دام افتاد و یک شارژ منفی را باعث می گردند. الکترون های شارژ شده منفی ، بعنوان یک صفحه عایق بین control gate و floating gate رفتار می نمایند.دستگاه خاصی.
مبانی حافظه فلش با نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونیتور خواهد کرد.
در صورتیکه جریان گیت بیشتر از 50 درصد شارژ باشد ، در اینصورت مقدار یک را دارا خواهد بود.زمانیکه شارژ پاس داده شده از 50 درصد آستانه عدول نموده مقدار به صفر تغییر پیدا خواهد کرد.یک تراشه EEPROM دارای گیت هائی است که تمام آنها باز بوده و هر سلول آن مقدار یک را دارا است در این نوع حافظه ها ( فلش) ، بمنظور حذف از مدارات پیش بینی شده در زمان طراحی ( بکمک ایجاد یک میدان الکتریکی) استفاده می گردد.
در این حالت می توان تمام و یا بخش های خاصی از تراشه را که " بلاک " نامیده می شوند، را حذف کرد.این نوع حافظه نسبت به حافظه های EEPROM سریعتر است ، چون داده ها از طریق بلاک هائی که معمولا" 512 بایت می باشند ( به جای یک بایت در هر لحظه ) نوشته می گردند.
فلش دیسک و یا فلش درایو ، یکی از جدیدترین دستگاه های ذخیره سازی اطلاعات است که با توجه به ویژگی های منحصر بفرد خود توانسته است در کانون توجه علاقه مندان

  متن بالا فقط قسمتی از محتوی متن پاورپوینت میباشد،شما بعد از پرداخت آنلاین ، فایل را فورا دانلود نمایید 

---

  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود پاورپوینت:  توجه فرمایید.

• در این مطلب، متن اسلاید های اولیه قرار داده شده است.
• به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید
• پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد
• در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
• در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون پاورپوینت قرار نخواهند گرفت.
  

---

دانلود فایل  پرداخت آنلاین 

پاورپوینت درباره مدیریت حافظه

اختصاصی از ژیکو پاورپوینت درباره مدیریت حافظه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل : power point  (لینک دانلود پایین صفحه) تعداد اسلایدها ۵۳ اسلاید

بخشی از اسلایدها:

فهرست:
پیش زمینه
مبادله (Swapping)
اختصاص یکپارچه
صفحه بندی (Paging)
قطعه بندی (Segmentation)
قطعه بندی به همراه صفحه بندی

پیش زمینه:

برای اجرای یک برنامه باید ابتدا آن را به حافظه منتقل کرد و سپس آن را درون یک پردازه قرار داد تا اجرا شود.

صف ورودی: مجموعه ی پردازه های روی دیسک که در انتظار ورود به حافظه برای اجرا هستند.

برنامه های کاربر قبل از اجرا شدن، مراحل متعددی را طی می کنند.

نگاشت آدرس دستورالعمل ها و داده ها به آدرس حافظه در سه مرحله امکان پذیر است...
زمان کامپایل: اگر فضای حافظه برنامه از قبل شناخته شده باشد، می توان در زمان کامپایل آدرس ها را مشخص کرد.
در صورتی که آدرس شروع حافظه برنامه تغییر کند، برنامه باید مجددا کامپایل شود.
زمان بارگذاری: در صورتی که در زمان کامپایل آدرس حافظه برنامه مشخص نباشد، باید برای آن کد قابل جابجایی تولید شود.
زمان اجرا:  اگر بتوان پردازه را در زمان اجرا از یک قطعه حافظه به قطعه دیگر منتقل کرد می توان اختصاص آدرس حافظه به دستورالعمل ها و داده ها را تا زمان اجرا به تعویق انداخت.
نیاز به حمایت سخت افزاری از نگاشت آدرس دارد، به عنوان مثال ثبات های base و limit.

واحد مدیریت حافظه:

واحد مدیریت حافظه (Memory Management Unit, MMU) یک ابزار سخت افزاری است که آدرس های مجازی را به آدرس فیزیکی نگاشت می کند.
در MMU مقدار ثبات جابجایی (relocation reg.) هنگام ارسال آدرس های تولیدشده توسط پردازه کاربر به حافظه به آدرس اضافه می شود.
برنامه کاربر صرفا با آدرس های منطقی کار می کند و اصولا اطلاعی از آدرس های فیزیکی واقعی ندارد.

بارگذاری پویا:

در این روش یک روال تا زمانی که فراخوانی نشده است به درون حافظه اصلی منتقل نمی گردد.
بهبود بهره وری فضای حافظه روالی که فراخوانی نمی شود بارگذاری نیز نمی شود.
مناسب برای مواردی که حجم زیادی از کد برای حمایت از اتفاقات نادر مورد نیاز هستند.
نیاز به حمایت خاصی توسط سیستم عامل ندارد و در فرایند طراحی برنامه مد نظر قرار می گیرد.