تحقیق درباره نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS 20 ص

اختصاصی از ژیکو تحقیق درباره نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS 20 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 20

نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS

همانطور که در گذشته خواندید، تفاوت اساسى دوربین هاى دیجیتال با دوربین هاى اپتیکال (فیلمى) در آن بود که دوربین هاى دیجیتال فاقد فیلم بودند. این دوربین ها حاوى یک سنسور بودند که نور را به بارهاى الکتریکى تبدیل مى کردند.

ابعاد سنسورهاى تصویرى از ابعاد فیلم کوچک تر است. براى مثال ابعاد هر فریم از یک فیلم ۱۳۵ معمولى ۲۴ میلیمتر در ۳۶ میلیمتر است. اما سنسورى که براى ایجاد یک تصویر ۳/۱ مگاپیکسل استفاده مى شود حدوداً ۵ میلیمتر در ۷ میلیمتر است.

سنسورهاى تصویرى انواع مختلفى دارند. سنسور تصویرى که توسط اکثر دوربین هاى دیجیتال استفاده مى شود از نوع CCD (Charge Coupled Device) است. برخى دیگر از دوربین ها از سنسور CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) استفاده مى کنند. اگرچه سنسورهاى CMOS به زودى گسترش مى یابند و استفاده از آنها در دوربین هاى دیجیتال رایج تر مى شود، اما هیچگاه نمى توانند جاى سنسورهاى CCD را بگیرند.

هر سنسور CCD مجموعه اى از دیودهاى حساس به نور کوچک است که فوتون (نور) را به الکترون (بار الکتریکى) تبدیل مى کند. این دیودها که فتوسایت نامیده مى شوند، به نور حساس هستند. هر اندازه نور شدیدترى به یک فتوسایت تابیده شود، بار الکتریکى بیشترى در آن فتوسایت القاء مى شود.سنسورهاى CMOS نیز به روش مشابهى نور را به بار الکتریکى تبدیل مى کنند. پس از این مرحله مقادیرى بار الکتریکى روى هر فتوسایت باید خوانده شود. تفاوت اساسى این دو سنسور در روش خواندن مقادیر بارهاى الکتریکى است. در سنسورهاى CCD بار الکتریکى به همان صورت وارد یک تراشه مى شود و به صورت درایه اى از درایه هاى یک ماتریس دو بعدى قابل خواندن است. سپس مقدار این درایه ها (که هنوز آنالوگ هستند) توسط یک مبدل آنالوگ به دیجیتال به اطلاعات رقمى تبدیل مى شود. در سنسورهاى CMOS هر پیکسل چندین ترانزیستور به همراه دارد که وظیفه آنها تقویت بارهاى الکتریکى در لحظه دریافت نور است. اگرچه تقویت نور توسط ترانزیستورها در هر پیکسل مستلزم وجود مدارات پیچیده ترى نسبت به سنسورهاى CCD است، اما از آنجا که تک تک پیکسل هاى این سنسورها به صورت مجزا قابل دسترسى هستند، این سنسورها از قابلیت انعطاف بیشترى برخوردارند.براى جلوگیرى از ایجاد اعوجاج ضمن انتقال بارها در تراشه، سنسورهاى CCD به روش ویژه اى تولید مى شوند. حاصل به کار بردن این پروسه ویژه، تصاویر با کیفیت ترى از لحاظ صحت داده هاى خوانده شده و حساسیت نور است. از سوى دیگر سنسورهاى CMOS به همان روشى تولید مى شوند که اکثر تراشه ها و پردازنده هاى کامپیوترى ساخته مى شوند. اختلاف روش تولید، تفاوت هاى زیادى بین سنسورهاى CCD و CMOS ایجاد کرده است:

پاورپوینت کامل و بسیار خوب با عنوان فناوری ساخت ترانزیستورهای CMOS و قوانین طراحی Layout در 52 اسلاید

اختصاصی از ژیکو پاورپوینت کامل و بسیار خوب با عنوان فناوری ساخت ترانزیستورهای CMOS و قوانین طراحی Layout در 52 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پیشرفت تکنولوژی قطعات حالت جامد نه تنها به توسعه مفاهیم قطعات الکترونیکی بلکه به بهبود مواد نیز وابسته بوده است. شرایط رشد بلورهای نیم رسانا که برای ساخت قطعات الکترونیک استفاده می‌شود، بسیار دقیق‌تر و مشکل‌تر از سایر مواد است. علاوه بر این که نیم رساناها باید به صورت تک بلورهای بزرگ در دسترس باشند، باید خلوص آنها نیز در محدوده بسیار ظریفی کنترل شود. مثلا تراکم بیشتر ناخالصیهای مورد استفاده در بلورهای سیلیسیوم فعلی از یک قسمت در ده میلیارد کمتر است. چنین درجاتی از خلوص ، مستلزم دقت بسیار در استفاده و بکارگیری مواد در هر مرحله از فرآیند ساخت است.

تاریخچه

رشد سیلیسیوم تک بلور اولین بار در آغاز و میانه دهه 1950 انجام گرفت که هم اکنون نیز در ساخت مدارهای مجتمع از آن استفاده می‌شود.

رشد از مذاب

یک روش متداول برای رشد تک بلورها ، سرد کردن انتخابی ماده مذاب است به گونه‌ای کهانجماد در راستای یک جهت بلوری خاص انجام می‌پذیرد.

یک مثال

ظرفی از جنس سیلیکا (کوارتز شیشه‌ای) در نظر بگیرید که دارای ژرمانیوم (Ge) مذاب است و می‌توان آن را طوری از کوره بیرون آورد که انجماد از یک انتها شروع شده به تدریج تا انتهای دیگر پیش رود. با قرار دادن یک دانه بلوری کوچک در نقطه شروع انجماد می‌توان کیفیت رشد بلور را بالا برد. شکل بلور بدست آمده توسط ظرف ذوب تعیین می‌شود. ژرمانیوم ، گالیم آرسنیک(GaAs) و دیگر بلورهای نیم رسانا اغلب با این روش که معمولا روش بریجمن (Bridgmann) افقی نامیده می‌شود، رشد داده می‌شوند.

معایب رشد بلور در ظرف ذوب

در این روش ماده مذاب با دیوارهای ظرف تماس پیدا می‌کند و در نتیجه در هنگام انجماد تنش‌هایی ایجاد می‌شود که بلور را از حالت ساختار شبکه‌ای کامل خارج می‌سازد. این نکته بویژه در مورد Si که دارای نقطه ذوب بالایی بوده و تمایل به چسبیدن به مواد مذاب را دارد، مشکل جدی است.

روش جایگزین

یک روش جایگزین ، کشیدن بلور از مذاب در هنگام رشد آن است. در این روش یک دانه بلوری در داخل ماده مذاب قرار داده شده و به آهستگی بالا کشیده می‌شود و به بلور امکان رشد بر روی دانه را می‌دهد. معمولا در هنگام رشد ، بلور به آهستگی چرخانده می‌شود تا علاوه بر هم زدن ملایم مذاب از هر گونه تغییرات دما که منجر به انجماد غیر همگن می‌شود، متوسط گیری کند. این روش ، روش چوکرالسکی (Czochoralski) نامیده می‌شود.

پالایش ناحیه‌ای و رشد ناحیه شناور

استفاده از ناحیه مذاب متحرک به خصوص وقتی که رفت و برگشتهای متعددی در راستای شمش انجام می‌پذیرد، موجب خلوص قابل توجهی در ماده اولیه می‌شود. این فرایند پالایش ناحیه‌اینامیده می‌شود. تکنیکهای متداول برای ذوب شمش عبارتند از : تابش گرما از یک گرماده مقاومتی ، گرمایش القایی و گرمایش بوسیله بمباران الکترونی در فصل مشترک مایع و جامد که در حال انجماد است. توزیع خاصی از ناخالصیها بین دو فاز وجود خواهد داشت، کمیت مهمی که این ویژگی را مشخص می‌کند، ضریب توزیع Distribution Coefficientt است که به صورت نسبت تراکم ناخالصی در جامد به تراکم آن در مایع در حالت تعادل تعریف می‌شود.

ضریب توزیع تابعی از ماده ، ناخالصی دمای مرز مشترک بین جامد و مایع و سرعت رشد است. اگر مرورهای متعددی صورت گیرد، طول بیشتری از شمش خالص شده و پس از مرورهای متعدد اکثر ناخالصی‌ها به انتهای شمش کشیده می‌شود که می‌توان آن را برید و جدا کرد و در نتیجه یک بلور با خلوص خیلی زیاد باقی می‌ماند. ضریب توزیع که روند بالایش ناحیه‌ای را کنترل می‌کند، در هر گونه رشد از مذاب نیز اهمیت دارد.

فهرست مطالب:

لزوم یادگیری چگونه ساخته شدن ترانزیستورها

چرا نیمه هادی ها مورد علاقه هستند؟

فناوری های CMOS

مراحل مختلف روش چوکرالسکی

فتولیتوگرافی

تکنیک های فتولیتوگرافی

تکنولوژی های اصلی CMOS

دی اکسید سیلیکون(SIO2)

نشاندن لایه اتمی(ALD)

جداسازی اجزا

جداسازی با گودال کم عمق (STI)

ایجاد نواحی سورس و درین و گیت خود تنظیم

ایجاد اتصالات و لایه های فلز

روش های حذف قسمت های اضافی

مقاوم سازی

مترولوژی

قوانین طراحی چینش

قوانین ترانزیستور

قوانین اتصالات

قوانین فلز

خط پیرامونی برش و دیگر ساختارها

پیشرفت های فرایند CMOS

تکنولوژی سیلیکون روی عایق (SOI)

قفل شدگی

خازن های نفوذ با SUBSTRATE

Soft Errors

قابلیت تحرک بالاتر

ترانزیستورهای پلاستیکی

فرایند مس دمشقی

دی الکتریک با ثابت دی الکتریک پایین

ساختارهای فوتونی مجتمع شده

مدارهای مجتمع سه بعدی

قوانین آنتن

قوانین مربوط به شیارهای فلزی

 و...

دستورکار آزمایشگاه مدار منطقی

اختصاصی از ژیکو دستورکار آزمایشگاه مدار منطقی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

با سلام:

قابل توجه همکاران و اساتید دانشگاههای مختلف جهت تهیه دستور کار آزمایشگاه مدار منطقی 

این دستور کار آزمایشگاه مدارمنطقی حاصل 8 سال ندریس و کار در دانشگاههای مختلف  ازجمله تدریس در آموزشکده فنی قوچان و دانشگاه علمی کار بردی مدیریت صنعتی مشهد می باشد .

پوشه فایلها شامل 2 فایل pdf می باشد که یک pdf یک صفحه ای که شامل عنوان دستورکار آزمایشگاه می باشد و pdf دوم شامل شرح آزمایشها می باشد که این pdf شامل 46 صفحه می باشد.

فهرست آزمایشهای دستورکار به شرح زیر می باشد:

فهرست آزمایش ها :                                               شماره صفحه

1 - تاخیر انتشارگیت NOT و جدول صحت گیت های منطقی                           5

2 - ساخت گیت EX-OR با گیت های NAND                                               7

3 - جمع کننده ها و تفریق کننده ها                                                                 9  

4 - مقایسه کننده ها                                                                                         12

5 - مبدل های دودویی و BCD                                                                        14

6 - فلیپ فلاپ RS و فلیپ فلاپ JK                                                                19

7 - مالتی پلکسر و دی مالتی پلکسر                                                                 22

8 - تراشه های JK-FF و D-FF                                                                  26

- شمارنده جا نسون

9 - شمارنده ها : شمارنده آسنکرون                                                                 30

- شمارنده آسنکرون چهار بیتی صعودی

- شمارنده آسنکرون چهاربیتی نزولی

10 - شمارنده سنکرون                                                                                         32

- شمارنده سنکرون چهار بیتی صعودی

- شمارنده سنکرون چهار بیتی نزولی

11 - شمارنده قابل برنامه ریزی با تراشه 74193                                                 33

12 - شیفت رجیسترها :                                                                                     36

- شیفت رجیستر ورودی سری خروجی سری

- شیفت رجیستر ورودی سری خروجی موازی

13 - شیفت رجیستر عمومی                                                                             38

- شیفت رجیسترعمومی با قابلیت شیفت به چپ وراست وبارگذاری موازی

- شیفت رجیستر عمومی با تراشه های 74178 و 7495

14 - حافظه RAM                                                                                           41

15 - حافظه EPROM                                                                                     44    

16 - مبدل ADC وDAC                                                                                   45

حل المسائل کتاب طراحی مدارهای مجتمع خطی CMOS آنالوگ بهزاد رضوی به صورت PDF در 329 صفحه به زبان انگلیسی

اختصاصی از ژیکو حل المسائل کتاب طراحی مدارهای مجتمع خطی CMOS آنالوگ بهزاد رضوی به صورت PDF در 329 صفحه به زبان انگلیسی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تراشه، مدار یکپارچه، مدار مجتمع یا آی‌سی (به انگلیسی: Integrated circuit یا Chip) به مجموعه‌ای از مدارات الکترونیکی اطلاق می‌گردد که با استفاده از مواد نیمه‌رسانا (عموماً سیلیسیم همراه با میزان کنترل شده‌ای ناخالصی) در ابعادی کوچک (معمولاً کمتر از یک سانتی متر مربع) ساخته می‌شود. اگر هزاران ترانزیستور در یک ریز تراشه ساخته شود؛ به آن مدارات مجتمع خیلی فشرده (به انگلیسی: Very-large-scale integration ) می گویند. مدارات الکتریکی عموما شامل المان مداری: مقاومت، خازن،سلف و ترانزیستور می باشد. با توجه به اینکه فرآیند ساخت ترانزیستور در تکنولوژی های مدارات مجتمع راحت تر از المان های پسیو دیگر است، طراحان ترجیح می دهند این المان های پسیو را توسط ترانزیستورها پیاده سازی کنند و تا حد ممکن تمامی المان های مدارات الکترونیکی را به ترانزیستور تبدیل نمایند، سپس با تکنولوژی های ساخت مدارات مجتمع آن ها را پیاده سازی کنند. هر تراشه معمولاً حاوی تعداد بسیار زیادی ترانزیستور می‌باشد که با استفاده از فناوری پیچیده‌ای در داخل لایه ای از ماده نیمه هادی؛ مانند سیلیکن همگون با پروسه های ساخت مدارات مجتمع ساخته می شوند. امروزه تراشه‌ها در اکثر دستگاه‌های الکترونیکی و به ویژهرایانه‌ها در ابعادی گسترده بکار می‌روند. وجود تراشه‌ها مرهون کشفیات بشر درباره نیمه رساناها و پیشرفتهای سریع پیرامون آنها در میانه‌های سده بیستم می‌باشد. مهم ترین المان مداری که در تکنولوژی های مدار مجتمع ساخته می شود، ماسفت (به انگلیسی:(MOSFET)Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) می باشد. شرکت اینتل به عنوان مهمترین سازنده مدارات مجتمع در جهان شناخته شده است.

فهرست مطالب:

فصل2)    فیزیک مقدماتی افزار ماس
فصل3)    تقویت کننده های یک طبقه
فصل4)    تقویت کننده های تفاضلی
فصل 5)   ایینه جریان فعال و غیرفعال
فصل6)    پاسخ فرکانسی تقویت کننده ها
فصل7)    نویز
فصل8)    فیدبک
فصل9)    تقویت کننده های عملیاتی
فصل10)  پایداری و جبران سازی فرکانسی                                   
فصل11)  مرجع ولتاژ و جریان
فصل12)  مقدمه ای بر مدارهای کلیدی خازنی
فصل 13) اثر غیرخطی و ناهمسانی
فصل14)  نوسان سازها
فصل15)  حلقه های قفل باز
فصل 16) اثرات کانال کوتاه و مدلهای MOS

این فایل شامل جواب تمرینات فصل های بالا می باشد و می تواند به عنوان راهنمایی مناسب برای دانشجویان کارشناسی و کارشناسی ارشد مهندسی الکترونیک استفاده شود.

پاورپوینت کامل و بسیار خوب با عنوان فناوری ساخت ترانزیستورهای CMOS و قوانین طراحی Layout در 52 اسلاید

اختصاصی از ژیکو پاورپوینت کامل و بسیار خوب با عنوان فناوری ساخت ترانزیستورهای CMOS و قوانین طراحی Layout در 52 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دیدکلی

پیشرفت تکنولوژی قطعات حالت جامد نه تنها به توسعه مفاهیم قطعات الکترونیکی بلکه به بهبود مواد نیز وابسته بوده است. شرایط رشد بلورهای نیم رسانا که برای ساخت قطعات الکترونیک استفاده می‌شود، بسیار دقیق‌تر و مشکل‌تر از سایر مواد است. علاوه بر این که نیم رساناها باید به صورت تک بلورهای بزرگ در دسترس باشند، باید خلوص آنها نیز در محدوده بسیار ظریفی کنترل شود. مثلا تراکم بیشتر ناخالصیهای مورد استفاده در بلورهای سیلیسیوم فعلی از یک قسمت در ده میلیارد کمتر است. چنین درجاتی از خلوص ، مستلزم دقت بسیار در استفاده و بکارگیری مواد در هر مرحله از فرآیند ساخت است.

تاریخچه

رشد سیلیسیوم تک بلور اولین بار در آغاز و میانه دهه 1950 انجام گرفت که هم اکنون نیز در ساخت مدارهای مجتمع از آن استفاده می‌شود.

رشد از مذاب

یک روش متداول برای رشد تک بلورها ، سرد کردن انتخابی ماده مذاب است به گونه‌ای که انجماد در راستای یک جهت بلوری خاص انجام می‌پذیرد.

یک مثال

ظرفی از جنس سیلیکا (کوارتز شیشه‌ای) در نظر بگیرید که دارای ژرمانیوم (Ge) مذاب است و می‌توان آن را طوری از کوره بیرون آورد که انجماد از یک انتها شروع شده به تدریج تا انتهای دیگر پیش رود. با قرار دادن یک دانه بلوری کوچک در نقطه شروع انجماد می‌توان کیفیت رشد بلور را بالا برد. شکل بلور بدست آمده توسط ظرف ذوب تعیین می‌شود. ژرمانیوم ، گالیم آرسنیک (GaAs) و دیگر بلورهای نیم رسانا اغلب با این روش که معمولا روش بریجمن (Bridgmann) افقی نامیده می‌شود، رشد داده می‌شوند.

معایب رشد بلور در ظرف ذوب

در این روش ماده مذاب با دیوارهای ظرف تماس پیدا می‌کند و در نتیجه در هنگام انجماد تنش‌هایی ایجاد می‌شود که بلور را از حالت ساختار شبکه‌ای کامل خارج می‌سازد. این نکته بویژه در مورد Si که دارای نقطه ذوب بالایی بوده و تمایل به چسبیدن به مواد مذاب را دارد، مشکل جدی است.

روش جایگزین

یک روش جایگزین ، کشیدن بلور از مذاب در هنگام رشد آن است. در این روش یک دانه بلوری در داخل ماده مذاب قرار داده شده و به آهستگی بالا کشیده می‌شود و به بلور امکان رشد بر روی دانه را می‌دهد. معمولا در هنگام رشد ، بلور به آهستگی چرخانده می‌شود تا علاوه بر هم زدن ملایم مذاب از هر گونه تغییرات دما که منجر به انجماد غیر همگن می‌شود، متوسط گیری کند. این روش ، روش چوکرالسکی (Czochoralski) نامیده می‌شود.

پالایش ناحیه‌ای و رشد ناحیه شناور

استفاده از ناحیه مذاب متحرک به خصوص وقتی که رفت و برگشتهای متعددی در راستای شمش انجام می‌پذیرد، موجب خلوص قابل توجهی در ماده اولیه می‌شود. این فرایند پالایش ناحیه‌ای نامیده می‌شود. تکنیکهای متداول برای ذوب شمش عبارتند از : تابش گرما از یک گرماده مقاومتی ، گرمایش القایی و گرمایش بوسیله بمباران الکترونی در فصل مشترک مایع و جامد که در حال انجماد است. توزیع خاصی از ناخالصیها بین دو فاز وجود خواهد داشت، کمیت مهمی که این ویژگی را مشخص می‌کند، ضریب توزیع Distribution Coefficientt است که به صورت نسبت تراکم ناخالصی در جامد به تراکم آن در مایع در حالت تعادل تعریف می‌شود.

ضریب توزیع تابعی از ماده ، ناخالصی دمای مرز مشترک بین جامد و مایع و سرعت رشد است. اگر مرورهای متعددی صورت گیرد، طول بیشتری از شمش خالص شده و پس از مرورهای متعدد اکثر ناخالصی‌ها به انتهای شمش کشیده می‌شود که می‌توان آن را برید و جدا کرد و در نتیجه یک بلور با خلوص خیلی زیاد باقی می‌ماند. ضریب توزیع که روند بالایش ناحیه‌ای را کنترل می‌کند، در هر گونه رشد از مذاب نیز اهمیت دارد.

فهرست مطالب:

لزوم یادگیری چگونه ساخته شدن ترانزیستورها

چرا نیمه هادی ها مورد علاقه هستند؟

فناوری های CMOS

مراحل مختلف روش چوکرالسکی

فتولیتوگرافی

تکنیک های فتولیتوگرافی

تکنولوژی های اصلی CMOS

دی اکسید سیلیکون(SIO2)

نشاندن لایه اتمی(ALD)

جداسازی اجزا

جداسازی با گودال کم عمق (STI)

ایجاد نواحی سورس و درین و گیت خود تنظیم

ایجاد اتصالات و لایه های فلز

روش های حذف قسمت های اضافی

مقاوم سازی

مترولوژی

قوانین طراحی چینش

قوانین ترانزیستور

قوانین اتصالات

قوانین فلز

خط پیرامونی برش و دیگر ساختارها

پیشرفت های فرایند CMOS

تکنولوژی سیلیکون روی عایق (SOI)

قفل شدگی

خازن های نفوذ با SUBSTRATE

Soft Errors

قابلیت تحرک بالاتر

ترانزیستورهای پلاستیکی

فرایند مس دمشقی

دی الکتریک با ثابت دی الکتریک پایین

ساختارهای فوتونی مجتمع شده

مدارهای مجتمع سه بعدی

قوانین آنتن

قوانین مربوط به شیارهای فلزی