ژیکو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

ژیکو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

پاورپوینت کامل و بسیار خوب با عنوان فناوری ساخت ترانزیستورهای CMOS و قوانین طراحی Layout در 52 اسلاید

اختصاصی از ژیکو پاورپوینت کامل و بسیار خوب با عنوان فناوری ساخت ترانزیستورهای CMOS و قوانین طراحی Layout در 52 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پاورپوینت کامل و بسیار خوب با عنوان فناوری ساخت ترانزیستورهای CMOS و قوانین طراحی Layout در 52 اسلاید


پاورپوینت کامل و بسیار خوب با عنوان فناوری ساخت ترانزیستورهای CMOS و قوانین طراحی Layout در 52 اسلاید

 

 

 

 

 

 

پیشرفت تکنولوژی قطعات حالت جامد نه تنها به توسعه مفاهیم قطعات الکترونیکی بلکه به بهبود مواد نیز وابسته بوده است. شرایط رشد بلورهای نیم رسانا که برای ساخت قطعات الکترونیک استفاده می‌شود، بسیار دقیق‌تر و مشکل‌تر از سایر مواد است. علاوه بر این که نیم رساناها باید به صورت تک بلورهای بزرگ در دسترس باشند، باید خلوص آنها نیز در محدوده بسیار ظریفی کنترل شود. مثلا تراکم بیشتر ناخالصیهای مورد استفاده در بلورهای سیلیسیوم فعلی از یک قسمت در ده میلیارد کمتر است. چنین درجاتی از خلوص ، مستلزم دقت بسیار در استفاده و بکارگیری مواد در هر مرحله از فرآیند ساخت است.

تاریخچه

رشد سیلیسیوم تک بلور اولین بار در آغاز و میانه دهه 1950 انجام گرفت که هم اکنون نیز در ساخت مدارهای مجتمع از آن استفاده می‌شود.

رشد از مذاب

یک روش متداول برای رشد تک بلورها ، سرد کردن انتخابی ماده مذاب است به گونه‌ای کهانجماد در راستای یک جهت بلوری خاص انجام می‌پذیرد.

یک مثال

ظرفی از جنس سیلیکا (کوارتز شیشه‌ای) در نظر بگیرید که دارای ژرمانیوم (Ge) مذاب است و می‌توان آن را طوری از کوره بیرون آورد که انجماد از یک انتها شروع شده به تدریج تا انتهای دیگر پیش رود. با قرار دادن یک دانه بلوری کوچک در نقطه شروع انجماد می‌توان کیفیت رشد بلور را بالا برد. شکل بلور بدست آمده توسط ظرف ذوب تعیین می‌شود. ژرمانیوم ، گالیم آرسنیک(GaAs) و دیگر بلورهای نیم رسانا اغلب با این روش که معمولا روش بریجمن (Bridgmann) افقی نامیده می‌شود، رشد داده می‌شوند.

معایب رشد بلور در ظرف ذوب

در این روش ماده مذاب با دیوارهای ظرف تماس پیدا می‌کند و در نتیجه در هنگام انجماد تنش‌هایی ایجاد می‌شود که بلور را از حالت ساختار شبکه‌ای کامل خارج می‌سازد. این نکته بویژه در مورد Si که دارای نقطه ذوب بالایی بوده و تمایل به چسبیدن به مواد مذاب را دارد، مشکل جدی است.

روش جایگزین

یک روش جایگزین ، کشیدن بلور از مذاب در هنگام رشد آن است. در این روش یک دانه بلوری در داخل ماده مذاب قرار داده شده و به آهستگی بالا کشیده می‌شود و به بلور امکان رشد بر روی دانه را می‌دهد. معمولا در هنگام رشد ، بلور به آهستگی چرخانده می‌شود تا علاوه بر هم زدن ملایم مذاب از هر گونه تغییرات دما که منجر به انجماد غیر همگن می‌شود، متوسط گیری کند. این روش ، روش چوکرالسکی (Czochoralski) نامیده می‌شود.

پالایش ناحیه‌ای و رشد ناحیه شناور

استفاده از ناحیه مذاب متحرک به خصوص وقتی که رفت و برگشتهای متعددی در راستای شمش انجام می‌پذیرد، موجب خلوص قابل توجهی در ماده اولیه می‌شود. این فرایند پالایش ناحیه‌اینامیده می‌شود. تکنیکهای متداول برای ذوب شمش عبارتند از : تابش گرما از یک گرماده مقاومتی ، گرمایش القایی و گرمایش بوسیله بمباران الکترونی در فصل مشترک مایع و جامد که در حال انجماد است. توزیع خاصی از ناخالصیها بین دو فاز وجود خواهد داشت، کمیت مهمی که این ویژگی را مشخص می‌کند، ضریب توزیع Distribution Coefficientt است که به صورت نسبت تراکم ناخالصی در جامد به تراکم آن در مایع در حالت تعادل تعریف می‌شود.

ضریب توزیع تابعی از ماده ، ناخالصی دمای مرز مشترک بین جامد و مایع و سرعت رشد است. اگر مرورهای متعددی صورت گیرد، طول بیشتری از شمش خالص شده و پس از مرورهای متعدد اکثر ناخالصی‌ها به انتهای شمش کشیده می‌شود که می‌توان آن را برید و جدا کرد و در نتیجه یک بلور با خلوص خیلی زیاد باقی می‌ماند. ضریب توزیع که روند بالایش ناحیه‌ای را کنترل می‌کند، در هر گونه رشد از مذاب نیز اهمیت دارد.

 

فهرست مطالب:

لزوم یادگیری چگونه ساخته شدن ترانزیستورها

چرا نیمه هادی ها مورد علاقه هستند؟

فناوری های CMOS

مراحل مختلف روش چوکرالسکی

فتولیتوگرافی

تکنیک های فتولیتوگرافی

تکنولوژی های اصلی CMOS

دی اکسید سیلیکون(SIO2)

نشاندن لایه اتمی(ALD)

جداسازی اجزا

جداسازی با گودال کم عمق (STI)

ایجاد نواحی سورس و درین و گیت خود تنظیم

ایجاد اتصالات و لایه های فلز

روش های حذف قسمت های اضافی

مقاوم سازی

مترولوژی

قوانین طراحی چینش

قوانین ترانزیستور

قوانین اتصالات

قوانین فلز

خط پیرامونی برش و دیگر ساختارها

پیشرفت های فرایند CMOS

تکنولوژی سیلیکون روی عایق (SOI)

قفل شدگی

خازن های نفوذ با SUBSTRATE

Soft Errors

قابلیت تحرک بالاتر

ترانزیستورهای پلاستیکی

فرایند مس دمشقی

دی الکتریک با ثابت دی الکتریک پایین

ساختارهای فوتونی مجتمع شده

مدارهای مجتمع سه بعدی

قوانین آنتن

قوانین مربوط به شیارهای فلزی

 و...


دانلود با لینک مستقیم


پاورپوینت کامل و بسیار خوب با عنوان فناوری ساخت ترانزیستورهای CMOS و قوانین طراحی Layout در 52 اسلاید

پاورپوینت کامل و بسیار خوب با عنوان فناوری ساخت ترانزیستورهای CMOS و قوانین طراحی Layout در 52 اسلاید

اختصاصی از ژیکو پاورپوینت کامل و بسیار خوب با عنوان فناوری ساخت ترانزیستورهای CMOS و قوانین طراحی Layout در 52 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پاورپوینت کامل و بسیار خوب با عنوان فناوری ساخت ترانزیستورهای CMOS و قوانین طراحی Layout در 52 اسلاید


پاورپوینت کامل و بسیار خوب با عنوان فناوری ساخت ترانزیستورهای CMOS و قوانین طراحی Layout در 52 اسلاید

 

 

 

دیدکلی

پیشرفت تکنولوژی قطعات حالت جامد نه تنها به توسعه مفاهیم قطعات الکترونیکی بلکه به بهبود مواد نیز وابسته بوده است. شرایط رشد بلورهای نیم رسانا که برای ساخت قطعات الکترونیک استفاده می‌شود، بسیار دقیق‌تر و مشکل‌تر از سایر مواد است. علاوه بر این که نیم رساناها باید به صورت تک بلورهای بزرگ در دسترس باشند، باید خلوص آنها نیز در محدوده بسیار ظریفی کنترل شود. مثلا تراکم بیشتر ناخالصیهای مورد استفاده در بلورهای سیلیسیوم فعلی از یک قسمت در ده میلیارد کمتر است. چنین درجاتی از خلوص ، مستلزم دقت بسیار در استفاده و بکارگیری مواد در هر مرحله از فرآیند ساخت است.

تاریخچه

رشد سیلیسیوم تک بلور اولین بار در آغاز و میانه دهه 1950 انجام گرفت که هم اکنون نیز در ساخت مدارهای مجتمع از آن استفاده می‌شود.

رشد از مذاب

یک روش متداول برای رشد تک بلورها ، سرد کردن انتخابی ماده مذاب است به گونه‌ای که انجماد در راستای یک جهت بلوری خاص انجام می‌پذیرد.

یک مثال

ظرفی از جنس سیلیکا (کوارتز شیشه‌ای) در نظر بگیرید که دارای ژرمانیوم (Ge) مذاب است و می‌توان آن را طوری از کوره بیرون آورد که انجماد از یک انتها شروع شده به تدریج تا انتهای دیگر پیش رود. با قرار دادن یک دانه بلوری کوچک در نقطه شروع انجماد می‌توان کیفیت رشد بلور را بالا برد. شکل بلور بدست آمده توسط ظرف ذوب تعیین می‌شود. ژرمانیوم ، گالیم آرسنیک (GaAs) و دیگر بلورهای نیم رسانا اغلب با این روش که معمولا روش بریجمن (Bridgmann) افقی نامیده می‌شود، رشد داده می‌شوند.

معایب رشد بلور در ظرف ذوب

در این روش ماده مذاب با دیوارهای ظرف تماس پیدا می‌کند و در نتیجه در هنگام انجماد تنش‌هایی ایجاد می‌شود که بلور را از حالت ساختار شبکه‌ای کامل خارج می‌سازد. این نکته بویژه در مورد Si که دارای نقطه ذوب بالایی بوده و تمایل به چسبیدن به مواد مذاب را دارد، مشکل جدی است.

روش جایگزین

یک روش جایگزین ، کشیدن بلور از مذاب در هنگام رشد آن است. در این روش یک دانه بلوری در داخل ماده مذاب قرار داده شده و به آهستگی بالا کشیده می‌شود و به بلور امکان رشد بر روی دانه را می‌دهد. معمولا در هنگام رشد ، بلور به آهستگی چرخانده می‌شود تا علاوه بر هم زدن ملایم مذاب از هر گونه تغییرات دما که منجر به انجماد غیر همگن می‌شود، متوسط گیری کند. این روش ، روش چوکرالسکی (Czochoralski) نامیده می‌شود.

پالایش ناحیه‌ای و رشد ناحیه شناور

استفاده از ناحیه مذاب متحرک به خصوص وقتی که رفت و برگشتهای متعددی در راستای شمش انجام می‌پذیرد، موجب خلوص قابل توجهی در ماده اولیه می‌شود. این فرایند پالایش ناحیه‌ای نامیده می‌شود. تکنیکهای متداول برای ذوب شمش عبارتند از : تابش گرما از یک گرماده مقاومتی ، گرمایش القایی و گرمایش بوسیله بمباران الکترونی در فصل مشترک مایع و جامد که در حال انجماد است. توزیع خاصی از ناخالصیها بین دو فاز وجود خواهد داشت، کمیت مهمی که این ویژگی را مشخص می‌کند، ضریب توزیع Distribution Coefficientt است که به صورت نسبت تراکم ناخالصی در جامد به تراکم آن در مایع در حالت تعادل تعریف می‌شود.

ضریب توزیع تابعی از ماده ، ناخالصی دمای مرز مشترک بین جامد و مایع و سرعت رشد است. اگر مرورهای متعددی صورت گیرد، طول بیشتری از شمش خالص شده و پس از مرورهای متعدد اکثر ناخالصی‌ها به انتهای شمش کشیده می‌شود که می‌توان آن را برید و جدا کرد و در نتیجه یک بلور با خلوص خیلی زیاد باقی می‌ماند. ضریب توزیع که روند بالایش ناحیه‌ای را کنترل می‌کند، در هر گونه رشد از مذاب نیز اهمیت دارد.

 

فهرست مطالب:

لزوم یادگیری چگونه ساخته شدن ترانزیستورها

 

چرا نیمه هادی ها مورد علاقه هستند؟

فناوری های CMOS

مراحل مختلف روش چوکرالسکی

فتولیتوگرافی

تکنیک های فتولیتوگرافی

تکنولوژی های اصلی CMOS

دی اکسید سیلیکون(SIO2)

نشاندن لایه اتمی(ALD)

جداسازی اجزا

جداسازی با گودال کم عمق (STI)

ایجاد نواحی سورس و درین و گیت خود تنظیم

ایجاد اتصالات و لایه های فلز

روش های حذف قسمت های اضافی

مقاوم سازی

مترولوژی

قوانین طراحی چینش

 

قوانین ترانزیستور

قوانین اتصالات

قوانین فلز

خط پیرامونی برش و دیگر ساختارها

پیشرفت های فرایند CMOS

تکنولوژی سیلیکون روی عایق (SOI)

قفل شدگی

خازن های نفوذ با SUBSTRATE

Soft Errors

قابلیت تحرک بالاتر

ترانزیستورهای پلاستیکی

فرایند مس دمشقی

دی الکتریک با ثابت دی الکتریک پایین

ساختارهای فوتونی مجتمع شده

مدارهای مجتمع سه بعدی

قوانین آنتن

قوانین مربوط به شیارهای فلزی

 

 

 

 

 

 

 


دانلود با لینک مستقیم


پاورپوینت کامل و بسیار خوب با عنوان فناوری ساخت ترانزیستورهای CMOS و قوانین طراحی Layout در 52 اسلاید

پاورپوینت درباره ترانزیستورهای اثر میدان (FET)

اختصاصی از ژیکو پاورپوینت درباره ترانزیستورهای اثر میدان (FET) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پاورپوینت درباره ترانزیستورهای اثر میدان (FET)


پاورپوینت درباره ترانزیستورهای اثر میدان (FET)

فرمت فایل : power point  (لینک دانلود پایین صفحه) تعداد اسلاید  : 21 اسلاید

 

 

 

 

 

 

بخشی از اسلایدها :

کلمه ترانزیستور از دو کلمه ترانس (انتقال) و رزیستور (مقاومت) تشکیل شده است و قطعه ای است که از طریق انتقال مقاومت به خروجی باعث تقویت می شود.

 

 

ترانزیستور اثر میدان، دسته‌ای ازترانزیستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آن‌ها توسط یک میدان الکتریکی صورت می‌گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می‌توان آن‌ها را جزو ترانزیستورهای تک‌قطبی محسوب کرد


دانلود با لینک مستقیم


پاورپوینت درباره ترانزیستورهای اثر میدان (FET)

آنالیز کمی پنی سیلیناز ساکن با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان AlGaN/GaN آنزیم اصلاح‌شده

اختصاصی از ژیکو آنالیز کمی پنی سیلیناز ساکن با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان AlGaN/GaN آنزیم اصلاح‌شده دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

این فایل ترجمه مقاله ی زیر می باشد:

Quantitative analysis of immobilized penicillinase using enzyme-modified AlGaN/GaN field-effect transistors

چکیده:

    ترانزیستور های اثر میدان AlGaN/GaN اصلاح شده پنی سیلیناز (PenFET ها) برای بررسی های سیستماتیکی در پنی سیلیناز آنزیم ساکن کووالانسی تحت شرایط آزمایشگاهی مختلف به کار رفته است. ما یک ارزیابی کمی از لایه های پنی سیلیناز آنزیم ساکن کووالانسی در ترانزیستور های اثر میدان (FET ها) حساس به pH با استفاده از مدل جنبشی PenFET انجام داده ایم.  این مدل جنبشی برای ادواتی با لایه های آنزیم نازک مناسب می باشد که در نتیجه برای PenFET ها نیز که در اینجا بحث شده اند مناسب می باشند. به وسیله ابزار مدل جنبشی استخراج ثابت مایکلسون در پنی سیلیناز آنزیم ساکن کووالانسی امکان پذیر می باشد و همچنین ضرایب انتقال نسبی گونه های مختلف مرتبط با واکنش آنزیم نیز امکان پذیر شده است. بر پایه این آنالیز ما تکرارپذیری و پایداری PenFET ها را در طول یک دوره 33 روزه بررسی کرده ایم که در آن اثر pH و غلظت بافر را روی ویژگی های لایه آنزیم بررسی کردیم. به موجب آن اندازه گیری های پایداری ثابت مایکلسون را آشکار کردند که در محدوده  تغییر می کند. نتایج ما نشان می دهد که PenFET های AlGaN/GaN   تهیه شده برای پنی سیلیناز آنزیم ساکن کووالانسی لایه آنزیم یک ابزار قدرتمند را برای آنالیز کمی کارایی آنزیم محیا می کند.

توضیحات: فایل ترجمه ، به صورت ورد می باشد و دارای 17 صفحه است.


دانلود با لینک مستقیم


آنالیز کمی پنی سیلیناز ساکن با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان AlGaN/GaN آنزیم اصلاح‌شده