ژیکو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

ژیکو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

طرح جالب برش لیزری وcnc لاکپشت

اختصاصی از ژیکو طرح جالب برش لیزری وcnc لاکپشت دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

طرح جالب برش لیزری وcnc لاکپشت


طرح  جالب برش لیزری وcnc لاکپشت

طرح برش لیزری لاکپشت  با پسوند dxf قابل استفاده در نرم افزارهای کرل و اتوکد لایه باز کاربردی در حکاکی و برش لیزری و сnс با

 

دوستان عزیز هر طرحی که مد نظر داشته باشید فقط  عکس آن را به ایمیل زیر به همراه شماره تلفن خود بفرستید در اسرع وقت با هرفرمتی که مد نظر داشته باشید طراحی میشود.

 lasercuttaha@gmail.com


دانلود با لینک مستقیم


طرح جالب برش لیزری وcnc لاکپشت

طرح برش لیزری و حکاکی شعله واسکلت

اختصاصی از ژیکو طرح برش لیزری و حکاکی شعله واسکلت دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

طرح برش لیزری و حکاکی شعله واسکلت


طرح برش لیزری و حکاکی شعله واسکلت

طرح برش لیزری شعله واسکلت  با پسوند dxf,cdr قابل استفاده در نرم افزارهای کرل و اتوکد لایه باز کاربردی در حکاکی و برش لیزری و сnс با کیفیت خوب

دوستان عزیز هر طرحی که مد نظر داشته باشید فقط  عکس آن را به ایمیل زیر به همراه شماره تلفن خود بفرستید در اسرع وقت با هرفرمتی که مد نظر داشته باشید طراحی میشود.

 lasercuttaha@gmail.com


دانلود با لینک مستقیم


طرح برش لیزری و حکاکی شعله واسکلت

تحقیق در مورد حکاکی

اختصاصی از ژیکو تحقیق در مورد حکاکی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق در مورد حکاکی


تحقیق در مورد حکاکی

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

 

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

  

تعداد صفحه15

 

فهرست مطالب

 

 

2 14 2 در میکروماشینینگ سطحی

سنسورهای خازنی

3 سنسورها

انواع سنسورها به طور عمودی

میکرو سنسورها

 

حکاکی لایه نازک SiO2

معمولاً بوسیله رقیق کردن یا Buffer کردن HF انجام می شود.

حکاکی های PSG 10 بار سریع تر از اکسید رشد یافته حرارتی می باشد.

حکاکی Anisotropic در مورد Si با استفاده از حکاکی پلاسما به کمک یون در ترکیبی از C2 F6 و CH3F انجام می شود. قابلیت انتخاب روی Si خوب است، امّا روی Si3N4  خوب نیست .

 

حکاکی لایه نازک Si3N4

حکاکی کننده تر در دمای H3PO4,140 – 200OC   می باشد. SiO2 حاصل از لایه نشانی بخار شیمیایی یک ماسک حکاکی خوب است. قابلیت انتخاب روی Si خیلی خوب است.                                                    حکاکی Anisotropic برای Si3N4 با استفاده از حکاکی پلاسما به کمک یون                                           ( Ion assisted Plasma etching ) در ترکیبی از C2F6 و CH3F انجام می شود.

 

حکاکی قربانی ( sacrificial )

قابلیت انتخاب حکاکی sacrifical روی Si باید خیلی بالا باشد. مواد متداول مورد استفاده PSG و Photorestis , Polyimide ها می باشند. PSG با استفاده از Resist برداشته می شود.

Polyimide ها با استفاده از حکاکی پلاسما برداشته می شوند.

 

2 14 ساختار پایه ( Basic structures )

2 14 1 در میکرو ماشینینگ توده ای سیلیکون

یکی از ممکن ترین و بارزترین ساختارها الگودهی هادی های عایق شده الکتریکی است. یکی از کاربردهای آن      می تواند استفاده از میدان های الکتریکی برای ساختن سلول های انفرادی باشد.

حکاکی Anisotropic به وسیله KOH به آسانی می تواند کانال های V ( grooves ) شکل را ایجاد کند، یا گودال های ( Pits ) با دیواره های مخروطی شکل را داخل سیلیکون برش دهد.

 

 

شکل 2 – 32

 


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق در مورد حکاکی