دانلود QPST Flash Tool ورژن 2.7.453 ابزار فلش گوشی و تبلت های دارای پردازنده کوالکام

اختصاصی از ژیکو دانلود QPST Flash Tool ورژن 2.7.453 ابزار فلش گوشی و تبلت های دارای پردازنده کوالکام دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

Download QPST Flash Tool

نام: QPST Flash Tool

ورژن ها:

2.7.104

2.7.363

2.7.366

2.7.440

2.7.442

2.7.445

2.7.447

2.7.453

نرم افزار تلقین به ذهن ناخودآگاه :نرم افزار مفید و بسیار کاربردی Subliminal Flash

اختصاصی از ژیکو نرم افزار تلقین به ذهن ناخودآگاه :نرم افزار مفید و بسیار کاربردی Subliminal Flash دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

نرم افزار تلقین به ذهن ناخودآگاه

نرم افزار مفید و بسیار کاربردی Subliminal Flash

شما را در بهبود زندگی شخصی  کمک میکند. این برنامه از تکنیک القای غیرمستقیم اهداف و عبارات تاکیدی به ذهن ناخودآگاه و دور از دید و مقاومت احتمالی ذهن متفکر انسان استفاده می کند .افراد مشهور بسیاری از این نرم افزار استفاده کرده و به موفقیت های دلخواه در حوزه های خویش رسیده اند که شما می توانید با مراجعه به سایت برنامه این داستانها را مرور کنید .

---

 این نرم افزار شامل دو برنامه زیر است :
1- Subliminal Flash
2-  Brain Waves Simulator

---

1- نرم افزار  Subliminal Flash :
این برنامه حاوی چندین دسته مختلف از پیام های تاکیدی است که شامل جملات مثبتی برای بهبود زندگی شخصی است. در واقع تکنولوژی پیام های نامرئی برای بهبود کیفیتت زندگی افراد به وسیله برنامه ریزی های مثبت در ضمیر ناخوادآگاه (subconscious )  آنها می باشد. وقتی این پیام های نامرئی با سرعت بالا نمایش داده می شوند ضمیر خودآگاه نمی تواند متوجه آنها شود اما ضمیر ناخودآگاه  آنها را دیده و طبق آن عمل می کند. با برنامه می توان به راحتی چیزهایی که می خواهید داشته باشید به خود تلقین کرده و به ضمیر ناخودآگاه خود دیکته کنید.

همانطوریکه میدانید یکی از اصولی که در حوزه موفقیت باید زیاد روی آن کار کنیم جملات تاکیدی مثبت و در زمان حال است . ذهن ما همیشه در مقابل این جملات مقاومت می کند مخصوصا که زمان وقوع این جملات در حال است . مثلا ما برای جملات تاکیدی مثبت در خصوص کسب درآمد می گوییم : " من بسیار خوشبخت و خوشحالم که ثروت زیادی دارم " باور این جمله به ذهن خودگاه که از منطق بیشتر تبعیت دارد کمی سخت است مخصوصا آنکه در شرایط حال وضعیت مالی مساعدی نیز نداشته باشید . ولی با استفاده از این نرم افزار این جملات بدون اینکه توسط ذهن خودآگاه دیده شوند ، مستقیما توسط ضمیر ناخودآگاه دریافت می شوند و جریان عظیمی از ثروت و موهبت و موفقیت را برای شما در پی خواهند داشت .

شرط لازمه موفقیت در استفاده از این نرم افزار تکرار و تکرار و تکرار همه روزه آن تا مدت حداقل 3 ماه میباشد .

---

2- نرم افزار Brain Waves Simulator :
با استفاده از این برنامه می توانید به راحتی امواج مختلف مغزی را به وسیله صوت هایی با فرکانس های مختلف تحریک کرد.
همانطوریکه میدانید ، امواج مغزی عبارتند از : آلفا، بتا، تتا و دلتا.
در این نرم افزار 7 سطح فرکانسی (در واقع همان 4 موج چون بتا در 3 رده می باشد) امواج با فرکانس های مختلف وجود دارد که عبارتند از :
1.  دلتا   0.1 تا 3  هرتز: خواب عمیق، هیپنوتیزم، بازدهی بالا، خواب روشن.
2.  تتا  3 تا 8  هرتز : ریلکس عالی، مدیتیشن(تفکر)، افزایش حافظه، تمرکز، خلاقیت، خواب روشن، هیپنوتیزم.
3.  آلفا  8 تا 12 هرتز : ریلکس عالی، آموزش عالی، تفکر مثبت.
4.  بتای سطح پایین  12 تا 15 هرتز :  تمرکز آرامش بخش، بهبود و افزایش توجه و تمرکز.
5.  بتای سطح میانی  15 تا  18 هرتز: افزایش توانایی هایی ذهنی، هوشیاری و IQ .
6.  بتای سطح بالا  بالاتر از 18 هرتز : بیداری کامل، هوشیاری عادی، استرس و دلواپسی.
7.  گاما  400 هرتز : پردازش اطلاعات در سطح عالی.

---

شما می توانید برای هر هدفی که می خواهید بدست آورید ، موج مربوطه را انتخاب کرده و به مدت دلخواهی به آن گوش دهید.
همراه دو نرم افزار فوق ، فایل صوتی این 7 سطح امواج رو هم گذاشته ایم  که پیشنهاد میکنیم موقع استفاده روزانه از کامپیوتر ، فایل صوتی مناسب رو با صدای کم پخش کنید وو همزمان هم برنامه تلقینی رو آماده کرده و آن برنامه را هم به حالت اجرا بزارید و به کارتون برسید. این دو برنامه هم هیچ خللی در کارتون ایجاد نمیکنه و باعث به هم خوردن تمرکز شما نیز نخواهد شد .

---

نرم افزار تلقین به ذهن ناخودآگاه

توضیحات کامل و آموزشی برنامه فوق در فایل راهنمای ضمیمه می باشد .

فایل فلش فارسی سامسونگ C7000

اختصاصی از ژیکو فایل فلش فارسی سامسونگ C7000 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فایل فلش فارسی سامسونگ C7000

اندروید 6.0.1

رفع مشکل ussd وگوگل پلی و وای فای

فایل فلش همراه با آموزش روت و فارسی سازی

تست شده و بدون مشکل

دانلود مقاله کامل درباره تکنولوژی

اختصاصی از ژیکو دانلود مقاله کامل درباره تکنولوژی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 8

«تکنولوژی (ساخت) Super Flash EEPROM»

معرفی:

این مقاله تکنولوژی ذخیره سازی سیلیکونی را توضیح می دهد. در این محصول سلول حافظه گیت و بازیابی تونل به روش میدانی تشریح شده است. تکنولوژی Super flash و سلول حافظه از نظر طراحی دارای مزایای مهمی هستند و سازنده EEPROM های Flash در زمان استفاده از ابزارهای منطقی در مقایسه با گیت Stack (پشته) اکسید یا تکنیک 2 ترانزیستوری از قابلیت عملکرد و آزادی عمل بیشتری برخوردار است. علاوه بر آن این تکنولوژی دارای مزیتهای قیمت کمتر و قابلیت اطمینان بیشتر است. این تکنولوژی با استفاده از لایه های کمتر از پردازش ساده تری برخوردار است که در مقایسه با انواع دیگر قابل مقایسه است. عمدتاً کاهش مراحل و هزینه های لایه گذاری، سبب کاهش قیمت نهایی محصول می شود. حافظه گیت مجزا SST از نظر اندازه و حجم اشغال شده در مقایسه با انواع ترانزیستوری آن بسیار قابل توجه است، علاوه بر اینکه سهولت استفاده و قابلیت اطمینان بالا نیز در آن بیشتر است. براساس طراحی، سلول حافظه مجزای SST ، برای هر سلول حافظه مربوط به ردیف بیت از overerase استفاده می کند. اختلال در پاک کردن برای همه بایتهای مربوط به یک صفحه یا صفحات دیگر ممکن است ایجاد شود، این بدلیل انجام فرآیند در ولتاژ بالا است.

تزریق کننده (انژکتور) ایجاد تونل بازیابی میدانی:

سلول EEPROM :

این تزریق کننده یک ترانزیستور سلول حافظه مجزا است که برای ایجاد تونل Fowler-Nordheim بمنظور پاک کردن و یا تزریق الکترون در کانال سورس در برنامه ریزی حافظه استفاده می شود. ایجاد تونل چند قطبی با استفاده از انژکتور (ترزیق کننده) میدانی در یک گیت شناور (معلق) با استفاده از اکسیداسیون استاندارد یا تکنیکهای etching صورت می گیرد. انژکتور کانال سفت Source (سورس) که تزریق کننده الکترون است بسیار کارآمد و مؤثر است و با استفاده از یک چیپ (تراشه) بسیار کوچک با تغذیه 5 یا 3 ولت این عملیات را انجام می دهد. سلولها معمولاً قبل از برنامه ریزی، پاک می شوند. اندازه و ابعاد سلول حافظه گیت مجزا با سلولهای حافظه متداول که از تکنولوژی پردازش یکسان استفاده می کنند، قابل مقایسه و قابل ملاحظه است. این امر ممکن است بدلیل موارد زیر ایجاد شده باشد. سلول انژکتور ایجاد کننده تونل نیازی به فضای زیاد بمنظور عایق کاری در جریانها و ولتاژهای بالا ندارد. علاوه بر آن ساختار ساده آن سبب می شود که بسیاری از توابع منطقی در عملیات پاک کردن آن حذف شوند. سلول انژکتور ایجاد کننده تونل از فرآیند (تکنولوژی) CMOS استاندارد استفاده می کند. آرایه های حافظه می توانند در حالت دسترسی تصادفی یا دسترسی متوالی و پی در پی طراحی شده باشند.

ساختار سلولی:

برشهای مقطعی سلولی با نماهای متفاوت در تصاویر 1A و 1B نشان داده شده اند. از دیدگاه سطح مقطع یک مسیر بیت و یک سطح مقطع SEM در تصاویر 2A و 2B نشان داده شده اند. از ترکیب سیلیکون 2 ظرفیتی برای ارتباط گیتها در امتداد یک مسیر word استفاده شده است. فلز بکار رفته در درین (drain) برای هر سلول حافظه در امتداد ردیف بیت قرار دارد.

یک سورس مشترک در هر صفحه بکار رفته است که در آن هر زوج بیت بصورت مشترک از یک سورس استفاده می کنند. با ترکیب ردیفهای زوج و فرد در یک صفحه پاک شده، عملیات صورت می گیرد. برنامه ریزی ممکن است حتی بصورت بایت بایت انجام شود و یا اینکه تمام بایتهای یک صفحه بصورت لحظه ای و به یکباره برنامه ریزی شوند. ناحیه درین از نفوذ (عمق) به میزان n+S/D برخوردار است، که لبه های آن توسط گیت کنترلی 2، تحت کنترل است. ناحیه سورس ار عمق n+S/D برخوردار است که دارای هم پوشانی با قسمت شناور است. یک سلول در دروازه شناور بمنظور کنترل آستانه (هدایت) سلول و ولتاژ مربوطه استفاده شده است. گیت انتخابی بوسیله یک کانال با پهنای 40mm از کانال (اصلی) جدا شده است. گیت شناور از کانال و نفوذ سورس به آن بوسیله کشت گرمایی (حراریی) به میزان 15nm و بصورت اکسید در گیت جدا شده است. گیت شناور از گیت کنترلی بوسیله اکسید 40nm و از لبه ها بصورت عمودی و در حد فاصل بین گیتها با اکسید 200nm جدا شده است. انژکتور ایجاد کننده تونل در گیت شناور بصورت اکسیداسیون چندگانه سیلیکونی عمل می کند و فرم (شکل) انجام اکسیداسیون بصورت «bird beak» می باشد که بر روی یک سیلیکون کریستالی صورت می گیرد. یک ترکیب سیلیکون دو ظرفیتی را می توان در گیت کنترلی بمنظور کاهش مقاومت ردیف word استفاده کرد.

2-3 طرح شماتیک آرایه سلولی:

طرح سلولی نشان داده شده در شکل 3A نحوه سازماندهی و ترتیب قرارگیری منطقی آرایه حافظه را نشان می دهد. مدار معادل این ترکیب بهمراه نشان دادن ظرفیت خازنی بین مسیرها در شکل 4 نشان داده شده است. برای سلول حافظه گیت مجزا کانال بین درین و سورس بوسیله ترکیبی از ترانزیستور گیت مورد نظر و ترانزیستور گیت حافظه کنترل می شود. ترانزیستور حافظه دارای آستانه منفی کم یا زیاد می تواند باشد که این امر به میزان بار الکتریکی ذخیره شده در یک گیت شناور بستگی دارد. در طول عملیات خواندن اطلاعات، این ولتاژ مرجع در گیت کنترلی و گیت انتخابی و via در مسیر word بکار گرفته می شود. ولتاژ مرجع با انتخاب ناحیه کانال، اعمال می شود. اگر گیت شناور قبلاً برنامه ریزی شده باشد، بخشی از ترانزیستور حافظه بصورت عایق باقی می ماند و سیگنال را انتقال نخواهد داد. اگر گیت شناور پاک شده باشد، این سلول حافظه، هادی خواهد بود. حالت هدایت خروجی از نظر منطقی با «1» و حالت عایقی (غیرهادی) با «0» نشان داده می شود. در شکل 3A بخشی از یک آرایه حافظه ترتیبی را که با 8 سلول حافظه چیده شده است و سازمان دهی شده و در آن سلولهای حافظه در 2 ستون، با 2 مسیر سورس و 8 ردیف word قرار گرفته اند، نشان داده شده است. تصویر 3B یک سلول حافظه معادل را نشان می دهد که چگونگی ایجاد وضعیت منطقی برای سلول گیت مجزا بمنظور ترانزیستور انتخابی مورد نظر و ترانزیستور حافظه را نشان می دهد. ولتاژ اعمال شده به ترمینال در هر مرحله در جدول 1 ارائه شده است. در طی عملیات پاک کردن کانال براساس ولتاژ مسیر word جهت گیری کرده و از حالت اولیه منحرف می شود. در طی برنامه ریزی کانال (گاهی) دچار تخلیه می شود. نسبتهای ترویجی (Coupling) در طی دورة پاک کردن و برنامه ریزی متفاوت است. بنابراین در طول

دانلود مقاله Flash Memory چیست؟

اختصاصی از ژیکو دانلود مقاله Flash Memory چیست؟ دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه: 11

حافظه های الکترونیکی در انواع گوناگون و برای مصارف مختلف ساخته شده اند . حافظه های فلش به دلیل سرعت بالای آنها در ثبت اطلاعات و همچنین استفاده فوق العاده آسان بسیار پر فروش و پر طرف دار می باشند . از این رو در دوربین های دیجیتالی ، تلفن همراه و سایر دستگاه ها شاهد استفاده روز افزون از آنها هستیم .

شیوه ذخیره اطلاعات در این نوع از حافظه بسیار شبیه به ذخیره اطلاعات در RAM می باشد . در حقیقت حافظه های فلش در نحوه فعالیت مشابه یک منبع ذخیره اطلاعات ثابت عمل می کند . به این معنی که در آنها هیچ قطعه متحرکی به کار نرفته و تمام کارها توسط مدارات الکترونیکی انجام می شود . در مقابل درون دیسک های سخت چندین قسمت متحرک وجود دارد که این وضع خود آسیب پذیر بودن این گونه حافظه را نسبت به حافظه های فلش نشان می دهد .

قطعاتی از قبیل تراشه های BIOS ، حافظه های فلش متراکم شده که در دوربین های دیجیتالی به کار می روند ، حافظه های هوشمند ، Memory Stick و کارت های حافظه که در کنسول های بازی به کار می روند همه و همه از این نوع حافظه استفاده می کنند .

در این قسمت به فن آوری و زیر ساخت این نوع حافظه نگاهی کوتاه داریم . حافظه های فلش از تراشه های EEPROM ساخته شده اند . همان طور که در مقالات قبلی ذکر شد در این گونه از حافظه ها ذخیره و حذف اطلاعات توسط جریان های الکتریکی صورت می پذیرد . این گونه تراشه ها داخل سطر ها و ستون های مختلف شبکه ای منظم را پدید می آورند . در این شبکه هر بخش کوچک دارای شماره سطر و ستون مختص به خود بوده و در اصطلاح هر کدام از این بخش ها یک سلول حافظه نامیده می شود .

هر کدام از این سلول ها ازتعدادی ترانزیستور ساخته شده و هر کدام از این سلول ها توسط لایه های اکسید از دیگر سلول ها جدا می باشد . درداخل این سلول ها دو ترانزیستور معروف با نام های Floating gate و Control gate استفاده می شود . Floating gate به خط ارتباطی سطر ها متصل بوده و تا زمانی که ارتباط بین این دو ترانزیستور برقرار باشد ، این سلول دارای ارزش ١ می باشد . این سلول ها می توانند دارای ارزش ١ و یا ٪ باشند .

● Tunneling :
این روش برای تغییر دادن مکان الکترون های ایجاد شده در Floating gate بکار می رود . اغلب سیگنال های شارژ الکترونیکی بین ١٪ تا ١٣ ولت می باشند که این میزان توسط Floating gate استفاده می شود . در زمان Tunneling این میزان توسط ستون ها از Floating gate گذشته و به زمین منتقل می شود . این سیگنال باعث می شود که این ترانزیستور مشابه یک تفنگ الکترونی وارد عمل شود . این تفنگ الکترونی ، الکترون ها به خارج لایه اکسید شده رانده و بدین ترتیب باعث از بین رفتن آنها می شود .

در اینجا واحد مخصوصی به نام حسگر سلول وارد عمل شده و عمل Tunneling همراه با مقدارش را ثبت می کند . اگر مقدار این سیگنال که از میان دو ترانزیستور می گذرد کمتر از نصف آستانه حساسیت حسگر باشد ، برای آن سلول در ارزش گذاری رقم ٪ ثبت می شود . ذکر این نکته ضروری است که این سلول ها در حالت عادی دارای ارزش ١ هستند .

با این توضیحات ممکن است فکر کنید که درون رادیو خودروی شما یک حافظه فلش قراردارد . درست حدس زدید ، اطلاعات ایستگاه های رادیویی مورد علاقه شما در نوعی حافظه به اسم Flash ROM ذخیره می شود . البته نحوه ثبت و نگهداری اطلاعات در این نوع حافظه به کلی با Flash memory فرق می کند . این نوع حافظه برای نگهداری اطلاعات به یک منبع الکتریسیته خارجی احتیاج دارد . در صورتی که حافظه های فلش بدون نیاز به منبع خارجی اطلاعات را ثبت و ضبط می کنند .

زمانی که شما اتومبیل خود را خاموش می کنید جریان بسیار کمی به سمت این حافظه در جریان است و همین جریان بسیار کم برای حفظ اطلاعات شما کافی می باشد . ولی با تمام شدن باتری خودرو و یا جدا کردن سیم برق کلیه اطلاعات ثبت شده از بین می رود .
امروزه این فن آوری ، آنقدر سریع توسعه می یابد که تا چند سال دیگر قادر به ذخیره اطلاعات معادل ٤٪ گیگا بایت در فضایی به اندازه یک سانتی متر مربع هستیم . هم اکنون نیز این حافظه ها در ابعاد بسیار کوچک در ظرفیت های گوناگون در دسترس همه قرار .

فلش مموری
حافظه های الکترونیکی در انواع گوناگون و برای مصارف مختلف ساخته شده اند . حافظه های فلش به دلیل سرعت بالای آنها در ثبت اطلاعات و همچنین استفاده فوق العاده آسان بسیار پر فروش و پر طرف دار می باشند . از این رو در دوربین های دیجیتالی ، تلفن همراه و سایر دستگاه ها شاهد استفاده روز افزون از آنها هستیم . شیوه ذخیره اطلاعات در این نوع از حافظه بسیار شبیه به ذخیره اطلاعات در RAM می باشد . در حقیقت حافظه های فلش در نحوه فعالیت مشابه یک منبع ذخیره اطلاعات ثابت عمل می کند .

به این معنی که در آنها هیچ قطعه متحرکی به کار نرفته و تمام کارها توسط مدارات الکترونیکی انجام می شود . در مقابل درون دیسک های سخت چندین قسمت متحرک وجود دارد که این وضع خود آسیب پذیر بودن این گونه حافظه را نسبت به حافظه های فلش نشان می دهد . قطعاتی از قبیل تراشه های BIOS ، حافظه های فلش متراکم شده که در دوربین های دیجیتالی به کار می روند ، حافظه های هوشمند ، Memory Stick و کارت های حافظه که در کنسول های بازی به کار می روند همه و همه از این نوع حافظه استفاده می کنند . در این قسمت به فن آوری و زیر ساخت این نوع حافظه نگاهی کوتاه داریم . حافظه های فلش از تراشه های EEPROM ساخته شده اند .

همان طور که در مقالات قبلی ذکر شد در این گونه از حافظه ها ذخیره و حذف اطلاعات توسط جریان های الکتریکی صورت می پذیرد . این گونه تراشه ها داخل سطر ها و ستون های مختلف شبکه ای منظم را پدید می آورند . در این شبکه هر بخش کوچک دارای شماره سطر و ستون مختص به خود بوده و در اصطلاح هر کدام از این بخش ها یک سلول حافظه نامیده می شود . هر کدام از این سلول ها ازتعدادی ترانزیستور ساخته شده و هر کدام از این سلول ها توسط لایه های اکسید از دیگر سلول ها جدا می باشد .

درداخل این سلول ها دو ترانزیستور معروف با نام های Floating gate و Control gate استفاده می شود . Floating gate به خط ارتباطی سطر ها متصل بوده و تا زمانی که ارتباط بین این دو ترانزیستور برقرار باشد ، این سلول دارای ارزش ١ می باشد . این سلول ها می توانند دارای ارزش ١ و یا ٪ باشند . Tunneling : این روش برای تغییر دادن مکان الکترون های ایجاد شده در Floating gate بکار می رود . اغلب سیگنال های شارژ الکترونیکی بین ١٪ تا ١٣ ولت می باشند که این میزان توسط Floating gate استفاده می شود . در زمان Tunneling این میزان توسط ستون ها از Floating gate گذشته و به زمین منتقل می شود .

این سیگنال باعث می شود که این ترانزیستور مشابه یک تفنگ الکترونی وارد عمل شود . این تفنگ الکترونی ، الکترون ها به خارج لایه اکسید شده رانده و بدین ترتیب باعث از بین رفتن آنها می شود . در اینجا واحد مخصوصی به نام حسگر سلول وارد عمل شده و عمل Tunneling همراه با مقدارش را ثبت می کند . اگر مقدار این سیگنال که از میان دو ترانزیستور می گذرد کمتر از نصف آستانه حساسیت حسگر باشد ،

برای آن سلول در ارزش گذاری رقم ٪ ثبت می شود . ذکر این نکته ضروری است که این سلول ها در حالت عادی دارای ارزش ١ هستندحافظه های الکترونیکی در انواع گوناگون و برای مصارف مختلف ساخته شده اند . حافظه های فلش به دلیل سرعت بالای آنها در ثبت اطلاعات و همچنین استفاده فوق العاده آسان بسیار پر فروش و پر طرف دار می باشند . از این رو در دوربین های دیجیتالی ، تلفن همراه و سایر دستگاه ها شاهد استفاده روز افزون از آنها هستیم .

شیوه ذخیره اطلاعات در این نوع از حافظه بسیار شبیه به ذخیره اطلاعات در RAM می باشد . در حقیقت حافظه های فلش در نحوه فعالیت مشابه یک منبع ذخیره اطلاعات ثابت عمل می کند . به این معنی که در آنها هیچ قطعه متحرکی به کار نرفته و تمام کارها توسط مدارات الکترونیکی انجام می شود . در مقابل درون دیسک های سخت چندین قسمت متحرک وجود دارد که این وضع خود آسیب پذیر بودن این گونه حافظه را نسبت به حافظه های فلش نشان می دهد .

قطعاتی از قبیل تراشه های BIOS ، حافظه های فلش متراکم شده که در دوربین های دیجیتالی به کار می روند ، حافظه های هوشمند ، Memory Stick و کارت های حافظه که در کنسول های بازی به کار می روند همه و همه از این نوع حافظه استفاده می کنند .
در این قسمت به فن آوری و زیر ساخت این نوع حافظه نگاهی کوتاه داریم . حافظه های فلش از تراشه های EEPROM ساخته شده اند . همان طور که در مقالات قبلی ذکر شد در این گونه از حافظه ها ذخیره و حذف اطلاعات توسط جریان های الکتریکی صورت می پذیرد .

این گونه تراشه ها داخل سطر ها و ستون های مختلف شبکه ای منظم را پدید می آورند . در این شبکه هر بخش کوچک دارای شماره سطر و ستون مختص به خود بوده و در اصطلاح هر کدام از این بخش ها یک سلول حافظه نامیده می شود . هر کدام از این سلول ها ازتعدادی ترانزیستور ساخته شده و هر کدام از این سلول ها توسط لایه های اکسید از دیگر سلول ها جدا می باشد . درداخل این سلول ها دو ترانزیستور معروف با نام های Floating gate و Control gate استفاده می شود . Floating gate به خط ارتباطی سطر ها متصل بوده و تا زمانی که ارتباط بین این دو ترانزیستور برقرار باشد ، این سلول دارای ارزش ١ می باشد . این سلول ها می توانند دارای ارزش ١ و یا ٪ باشند .

● Tunneling :
این روش برای تغییر دادن مکان الکترون های ایجاد شده در Floating gate بکار می رود . اغلب سیگنال های شارژ الکترونیکی بین ١٪ تا ١٣ ولت می باشند که این میزان توسط Floating gate استفاده می شود . در زمان Tunneling این میزان توسط ستون ها از Floating gate گذشته و به زمین منتقل می شود . این سیگنال باعث می شود که این ترانزیستور مشابه یک تفنگ الکترونی وارد عمل شود . این تفنگ الکترونی ، الکترون ها به خارج لایه اکسید شده رانده و بدین ترتیب باعث از بین رفتن آنها می شود .

در اینجا واحد مخصوصی به نام حسگر سلول وارد عمل شده و عمل Tunneling همراه با مقدارش را ثبت می کند . اگر مقدار این سیگنال که از میان دو ترانزیستور می گذرد کمتر از نصف آستانه حساسیت حسگر باشد ، برای آن سلول در ارزش گذاری رقم ٪ ثبت می شود . ذکر این نکته ضروری است که این سلول ها در حالت عادی دارای ارزش ١ هستند .

با این توضیحات ممکن است فکر کنید که درون رادیو خودروی شما یک حافظه فلش قراردارد . درست حدس زدید ، اطلاعات ایستگاه های رادیویی مورد علاقه شما در نوعی حافظه به اسم Flash ROM ذخیره می شود . البته نحوه ثبت و نگهداری اطلاعات در این نوع حافظه به کلی با Flash memory فرق می کند . این نوع حافظه برای نگهداری اطلاعات به یک منبع الکتریسیته خارجی احتیاج دارد . در صورتی که حافظه های فلش بدون نیاز به منبع خارجی اطلاعات را ثبت و ضبط می کنند .

زمانی که شما اتومبیل خود را خاموش می کنید جریان بسیار کمی به سمت این حافظه در جریان است و همین جریان بسیار کم برای حفظ اطلاعات شما کافی می باشد . ولی با تمام شدن باتری خودرو و یا جدا کردن سیم برق کلیه اطلاعات ثبت شده از بین می رود .
امروزه این فن آوری ، آنقدر سریع توسعه می یابد که تا چند سال دیگر قادر به ذخیره اطلاعات معادل ٤٪ گیگا بایت در فضایی به اندازه یک سانتی متر مربع هستیم . هم اکنون نیز این حافظه ها در ابعاد بسیار کوچک در ظرفیت های گوناگون در دسترس همه قرار .

فلش مموری
حافظه های الکترونیکی در انواع گوناگون و برای مصارف مختلف ساخته شده اند . حافظه های فلش به دلیل سرعت بالای آنها در ثبت اطلاعات و همچنین استفاده فوق العاده آسان بسیار پر فروش و پر طرف دار می باشند . از این رو در دوربین های دیجیتالی ، تلفن همراه و سایر دستگاه ها شاهد استفاده روز افزون از آنها هستیم . شیوه ذخیره اطلاعات در این نوع از حافظه بسیار شبیه به ذخیره اطلاعات در RAM می باشد .

در حقیقت حافظه های فلش در نحوه فعالیت مشابه یک منبع ذخیره اطلاعات ثابت عمل می کند . به این معنی که در آنها هیچ قطعه متحرکی به کار نرفته و تمام کارها توسط مدارات الکترونیکی انجام می شود . در مقابل درون دیسک های سخت چندین قسمت متحرک وجود دارد که این وضع خود آسیب پذیر بودن این گونه حافظه را نسبت به حافظه های فلش نشان می دهد . قطعاتی از قبیل تراشه های BIOS ، حافظه های فلش متراکم شده که در دوربین های دیجیتالی به کار می روند ،

حافظه های هوشمند ، Memory Stick و کارت های حافظه که در کنسول های بازی به کار می روند همه و همه از این نوع حافظه استفاده می کنند . در این قسمت به فن آوری و زیر ساخت این نوع حافظه نگاهی کوتاه داریم . حافظه های فلش از تراشه های EEPROM ساخته شده اند . همان طور که در مقالات قبلی ذکر شد در این گونه از حافظه ها ذخیره و حذف اطلاعات توسط جریان های الکتریکی صورت می پذیرد . این گونه تراشه ها داخل سطر ها و ستون های مختلف شبکه ای منظم را پدید می آورند .

در این شبکه هر بخش کوچک دارای شماره سطر و ستون مختص به خود بوده و در اصطلاح هر کدام از این بخش ها یک سلول حافظه نامیده می شود . هر کدام از این سلول ها ازتعدادی ترانزیستور ساخته شده و هر کدام از این سلول ها توسط لایه های اکسید از دیگر سلول ها جدا می باشد . درداخل این سلول ها دو ترانزیستور معروف با نام های Floating gate و Control gate استفاده می شود . Floating gate به خط ارتباطی سطر ها متصل بوده و تا زمانی که ارتباط بین این دو ترانزیستور برقرار باشد ، این سلول دارای ارزش ١ می باشد .

این سلول ها می توانند دارای ارزش ١ و یا ٪ باشند . Tunneling : این روش برای تغییر دادن مکان الکترون های ایجاد شده در Floating gate بکار می رود . اغلب سیگنال های شارژ الکترونیکی بین ١٪ تا ١٣ ولت می باشند که این میزان توسط Floating gate استفاده می شود . در زمان Tunneling این میزان توسط ستون ها از Floating gate گذشته و به زمین منتقل می شود . این سیگنال باعث می شود که این ترانزیستور مشابه یک تفنگ الکترونی وارد عمل شود .

این تفنگ الکترونی ، الکترون ها به خارج لایه اکسید شده رانده و بدین ترتیب باعث از بین رفتن آنها می شود . در اینجا واحد مخصوصی به نام حسگر سلول وارد عمل شده و عمل Tunneling همراه با مقدارش را ثبت می کند . اگر مقدار این سیگنال که از میان دو ترانزیستور می گذرد کمتر از نصف آستانه حساسیت حسگر باشد ، برای آن سلول در ارزش گذاری رقم ٪ ثبت می شود . ذکر این نکته ضروری است که این سلول ها در حالت عادی دارای ارزش ١ هستند . با این توضیحات ممکن است فکر کنید که درون رادیو خودروی شما یک حافظه فلش قراردارد .

درست حدس زدید ، اطلاعات ایستگاه های رادیوئی مورد علاقه شما در نوعی حافظه به اسم Flash ROM ذخیره می شود . البته نحوه ثبت و نگهداری اطلاعات در این نوع حافظه به کلی با Flash memory فرق می کند . این نوع حافظه برای نگهداری اطلاعات به یک منبع الکتریسیته خارجی احتیاج دارد . در صورتی که حافظه های فلش بدون نیاز به منبع خارجی اطلاعات را ثبت و ضبط می کنند .

زمانی که شما اتومبیل خود را خاموش می کنید جریان بسیار کمی به سمت این حافظه در جریان است و همین جریان بسیار کم برای حفظ اطلاعات شما کافی می باشد . ولی با تمام شدن باتری خودرو و یا جدا کردن سیم برق کلیه اطلاعات ثبت شده از بین می رود . امروزه این فن آوری ، آنقدر سریع توسعه می یابد که تا چند سال دیگر قادر به ذخیره اطلاعات معادل ٤٪ گیگا بایت در فضائی به اندازه یک سانتی متر مربع هستیم . هم اکنون نیز این حافظه ها در ابعاد بسیار کوچک در ظرفیت های گوناگون در دسترس همه قرار دارد .
حافظه فلش یک نوع از EEPROM(Electronically Erasable Programmable Read only memory ) است که از شبکه ای ماتریسی (سطری ستونی) از سلول هایی با دو ترانزیستور در هر تقاطع سطر ستون تشکیل یافته است. دو ترانزیستور به وسیله لایه نازکی از اکسید از یکدیگر جدا گردیده اند و به طور مستقل کار می کنند.

. با این توضیحات ممکن است فکر کنید که درون رادیو خودروی شما یک حافظه فلش قراردارد . درست حدس زدید ، اطلاعات ایستگاه های رادیوئی مورد علاقه شما در نوعی حافظه به اسم Flash ROM ذخیره می شود . البته نحوه ثبت و نگهداری اطلاعات در این نوع حافظه به کلی با Flash memory فرق می کند . این نوع حافظه برای نگهداری اطلاعات به یک منبع الکتریسیته خارجی احتیاج دارد . در صورتی که حافظه های فلش بدون نیاز به منبع خارجی اطلاعات را ثبت و ضبط می کنند . زمانی که شما اتومبیل خود را خاموش می کنید جریان بسیار کمی به سمت این حافظه در جریان است و همین جریان بسیار کم برای حفظ اطلاعات شما کافی می باشد .

ولی با تمام شدن باتری خودرو و یا جدا کردن سیم برق کلیه اطلاعات ثبت شده از بین می رود . امروزه این فن آوری ، آنقدر سریع توسعه می یابد که تا چند سال دیگر قادر به ذخیره اطلاعات معادل ٤٪ گیگا بایت در فضائی به اندازه یک سانتی متر مربع هستیم . هم اکنون نیز این حافظه ها در ابعاد بسیار کوچک در ظرفیت های گوناگون در دسترس همه قرار دارد .
حافظه فلش یک نوع از EEPROM(Electronically Erasable Programmable Read only memory ) است که از شبکه ای ماتریسی (سطری ستونی) از سلول هایی با دو ترانزیستور در هر تقاطع سطر ستون تشکیل یافته است. دو ترانزیستور به وسیله لایه نازکی از اکسید از یکدیگر جدا گردیده اند و به طور مستقل کار می کنند.

یکی از ترانزیستور ها همانند دریچه ای شناور عمل می نماید و دیگری مسئولیت دریچه کنترل ره به عهده دارد . تنها اتصال گیت شناور به سطر یا word line از میان گیت کنترل می گذرد. تا زمانیکه این پیوند بر قرار است مقدار سلول حافظه برابر یک قرار می گیرد. برای تغییر مقدار یک به صفر لازم است یک پردازش خاص به نام Fowler –Nordheim tunneling انجام گیرد.

این فقط قسمتی از متن مقاله است . جهت دریافت کل متن مقاله ، لطفا آن را خریداری نمایید